电火工品用半导体桥换能芯片.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局 *CN202974055U* *CN202974055U* (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 202974055 U (10)授权公告号 CN 202974055 U (45)授权公告日 2013.06.05 (21)申请号 201220618921.0 (22)申请日 2012.11.21 (73)专利权人 南京理工大学 地址 210094 江苏省南京市孝陵卫200 号 (72)发明人 秦志春 田桂蓉 叶家海 张文超 朱顺官 张琳 徐振相 (74)专利代理机构 南京理工大学专利中心 32203 代理人 朱显国 (51)Int.Cl. F42B 3/13 (2006.01) (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 权利要求书1 页 说明书2 页 附图1 页 (54)实用新型名称 电火工品用半导体桥换能芯片 (57)摘要 本实用新型公开了一种电火工品用半导体桥 换能芯片，包括多晶硅桥台阶、电极和绝缘层多晶 硅桥台阶与电流方向垂直方向的两端为内凹的圆 弧形，本实用新型因为只需要在将半导体桥的桥 区两端设计为圆弧形状桥区，使其在电磁场的环 境中场强密度均匀，不易出现场强在局部集中密 度增强的问题，同时两端圆弧形状的桥区还保留 了火工品的发火临界能量低的需求，结构特别简 单不需要增加成本；容易同步实现发火临界能量 低发火可靠性的需求和提高抗静电强度的要求。 U U 5 5 5 5 0 0 4 4 7 7 9 9 2 2 0 0 2 2 N N C C CN 202974055 U 权 利 要 求 书 1/1 页 1. 一种电火工品用半导体桥换能芯片，包括多晶硅桥台阶（1）、电极（4）和绝缘层（3）， 其特征在于：多晶硅桥台阶（1）与电流方向垂直方向的两端为内凹的圆弧形。 2. 根据权利要求1 所述的一种电火工品用半导体桥换能芯片，其特征在于：所述的多 晶硅桥台阶（1）与电流方向垂直的两端和多晶硅桥台阶（1）与电流方向平行的两边采用圆 弧形过渡。 3. 根据权利要求1 或2 所述的一种电火工品用半导体桥换能芯片，其特征在于：所述 的电极（4）采用钛- 氮化硅- 铝硅铜、钛- 钨氮- 金、钛- 钴- 金或钛- 铂- 金的结构。 2 2 CN 202974055 U 说 明 书 1/2 页 电火工品用半导体桥换能芯片 技术领域 [0001] 本实用新型属于电火工品领域，特别是一种电火工品用半导体桥换能芯片。 背景技术 [0002] 半导体桥（SCB）火工品，是指采用半导体芯片作为电火工品的发火换能元件，在输 入电能的作用下半导体桥迅速气化形成高温等离子体，引发火工药剂。 [0003] SCB 芯片是利用微电子技术，在半导体基材中进行重掺杂形成导电层，可根据输入 电能大小设计桥的形状和质