采用极化空穴注入结构的有机发光二极管研究.pdf

oLED 2006 采用极化空穴注入结构的有机发光二极管 曹国华，秦大山，曹俊松，曾一平，李晋闽 中国科学院半导体研究所，北京100083 能转换成电能，转换效率可达到1．8％…。PTCDA也被用在有 摘要 基于一种有机受主材料(PTCDA)设汁了两种极化空穴注入结 中，提出两种新型的极化空穴注入结构，结果表明PTCDA基 构，用于有机发光二极管中实现有效的空穴注入。在第一种 极化空穴注入结构比传统的ITO／CuPc结构有更好的空穴注入 极化空穴注入结构ITO／PTCDA／Ag／CuPc中，PTCDA和CuPc 能力，并对其工作原理进行了分析。 层之间的Ag可在电场中被极化，产生电子和空穴，随后空穴 流入CuPc层，电子流入PTCDA层然后进入ITO正极，完成 2实验 空穴注入过程。在第二种结构ITO／PTCDA／CuPc中，PTCDA／ CuPc界面在电场中被极化，在界面处PTcDA一侧产生电子、 CuPc一侧产生空穴，电子通过PTCDA层流入ITO正极，完 成空穴注入过程。 作空穴传输材料，Alq3用作电子传输材料和发光层。所用材 料在使用前都在自行研制的升华设备上进行了纯化。选用20 Q／口的ITO导电玻璃作为器件衬底。ITO玻璃依次在三氯乙 关键词 烯、丙酮、酒精溶剂中超声清洗去脂，接下来在去离子水中 有机发光二极管；PTCDA；极化空穴注入结构 超声清洗，然后用去离子水反复冲洗，最后用N2气吹干，用 UV—Ozone处理后使用。 中图分类号：TN303 制备了如下五个有机发光二极管： 器件1． 5nm／CuPc5nm／NPB40 60 ITo／Ag nm／Alq3nm／Mg：Ag 1引言 器件2．． ITO／PTCDA5 5rim／CuPc5rim／NPB35 nm／Ag nm／Alq3 自从1987年c．W．Tangt·l等人首次报道双层结构可以实 60 rim／Mg：Ag 现高效的有机电致发光以来，有机发光二极管得到了广泛深 器件3． 入的研究，主要是因为有机发光二极管可以在平板显示和固 ITO／PTCDA10 5rim／CuPc5nm／NPB30 nm／Ag nm／Alq3 体照明上得到广泛的应用。一般认为，空穴注入能力对有机 60 nm／Mg：Ag 发光器件的性能例如流明效率、工作电压等有重要的影响。在 器件4． 传统的有机发光二极管中，空穴通常是从器件正极女llITO、