四甲基硅氧烷制备SiOx低表面能薄膜研究.pdfVIP

四甲基硅氧烷制备SiOx低表面能薄膜 周美丽，陈强，岳蕾，葛袁静 (北京印刷学院等离子体物理及材料研究室，北京102600) 摘 要：采用13．56MHz的射频等离子体聚合装置，以四甲基二硅氧烷(TMDSO)为单体、氧气为反应气 体、氩气为电离气体，在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等基体材料上沉积氧化硅低表蘧能薄膜。在薄 膜的制备工艺研究中，通过改变放电方式、工作压强、放电功率、沉积时间、氩气和TMDSO单体的比例 等参数研究氧化硅薄膜的沉积速率：通过傅立叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)等分析了沉 积膜的化学组成和结合状态；利用接触角测定仪测量薄膜的接触角从而计算薄膜的表面能，最终从结构分 析上研究影响Si02薄膜低表面能内在因素。 关键字：PECVD；四甲基二硅氧烷；低表面能薄膜；SiOx薄膜 中图分类号：TB484．3 Abstract： weremadeto PECVDOff slidessubstrates Experiments produceby sioxOy PET,BOPP,microscope of with the andSO a mixture studiedthe on，usinggaseous TetramethyldisiloxaneAr．Duringprocedure，we the timeand rate the ofTMDSO．Underthose depositionbychangingdischargepower,depositionpercentage effectoftheTMDSOconcentrationinthe onthefilm structureandthe conditions，the and low plasma compose characterWaSstudiedFouriertransforminfrared and adsorption energy using spectroscopy(Fria)，Contactangle AtomicForce Microscopy(AFM)． 等离子体制备Si02薄膜在工业界的应用首先是在食品和药品的保质保鲜方面。由于 其阻隔性高、微波可透过性好等优异性能在食品药品保值保鲜、微波加热食品等包装领域 中受到广泛的重视。而采用等离子体制备氧化硅作为低表面能薄膜的应用，只是最近才有 报道。 低表面能薄膜是指表面能低于27mJ／m2的薄膜。它不沾水、不沾油，在数字印刷板材 的制备、贵重文物保护及关键电子器件保护方面有重要的意义和良好的应用前景。通常低 表面能薄膜是采用化学氟化方法合成，但合成材料结构不稳定、工艺复杂和温室气体废物 污染等影响低表面能薄膜的应用。等离子体合成，特别是采用脉冲等离子体合成，可以有 效、方便、简易裁减聚合反应的分子链长短和大小、控制基团密度，达到控制薄膜的表面 性能，具有化学合成及连续等离子体合成法等不可比拟的优点【112l。因此我们准备在等离子 体沉积Si02薄膜的初步研究基础上13】，采用四甲基二硅氧烷作为单体，研究连续等离子体、 脉冲等离子体聚合氧化硅薄膜的性能。通过对薄膜水的接触角和表面张力的测试，认识等 离子体聚合薄膜的亲疏水性能。采用傅立叶变换红外光谱(FTIR)和原子力显微镜(AFM) I对薄膜的结构成分以及表面形态变化进行了表征，分析了聚合物的