双阳极磁控注入电子枪的设计研究.pdfVIP

2005‘全国微波毫米波会议沧文集 双阳极磁控注入电子枪的设计 薛谦忠张世昌刘濮鲲 (中国科学院电子学研究所中国北京100080) 摘要本文通过用于电子枪设计的基本方程初步估算了35GHz，200kW回旋速调管用的 60kV，15A双阳极磁控注入电子枪基本参数。使用电子轨迹程序进行迭代模拟，获得了 最终电子枪设计参数。模拟结果表明：电子枪产生的高质量电子束在电子束横、纵向比 口=1．4条件下，具有较小的轴向速度零散(Av：v：)为7．59％。 1引言 电子枪是回旋速调管放大器重要组成部件，放大器的性能，如增益、效率以及频率 带宽在很大程度上都依赖于电子束的质景。因此，电子枪的优化设计对研制高性能回旋 速调管放大器具有重要的意义。 目前常用于回旋速调管的电子枪为磁控注入型的电子枪(MIGs)。单阳极磁控注入 电了枪没有调制阳极，最大的优点是结构相对简单，成本造价低廉。然而，电子束的横、 纵速度比口，不能在不影响电子束功率的条件下独立地进行调节，大大地限制了电子束 质量的优化。双阳极磁控注入枪，相对结构较为复杂，而最大的优点是在绝热近似的条 件下，电子束的横向速度随着调制电压线性的增加，而不影响电子束的功率…。所以， 对于性能要求较高的回旋速调管放大器最宣用双阳极磁控注入电子枪。本文通过分析方 程获得初始参数，然后用PIC软件对枪的几何参数进一步优化口1，获得了具有较小的轴 向速度扩散、并用于35GHz，200kW同旋速调管放大器的双阳极磁控注入电子枪。 2基本方程 在电子枪的设计中，首先根据分析理论获得电子枪的基本结构参数。我们知道，在 圆柱对称性静电、磁场中正则角动量是守恒量 乇=ym。R2譬一eRAp=constant (1) 口f 2 这里尺和是柱坐标系中径向和角向坐标，A为磁位矢角向分量，其中ym。R1半=，。 讲 是电子角动量。在轴向位置z处，由于磁场是轴向对称的，且满足近轴近似，B=r0，口B‘圳， 因此 ‘ ． (2) ∥口(R，z)=12；,rRB；(R’，z)积’“础2B(z) 0 在电子轨迹上的不同两点，利用方程(1)、(2)可以得到： 2(1)日(1)] (3) ，。(2)一』。(1)“{[R2(2)B(2)一R Z 由于电子作回旋运动，所以在电子轨迹上不同的轴向位置总可以找到角动最相同的点 ，。(1)=I(2)。在任一电子束截面，当电子的半径R=(月；一《)耻时，电子的角速度 189 2005’全国微波毫米波会议论文集 dCo／dt=0，因此电子的角动量等于0。考虑到阴极发射表而电子角动量为零，应用方 程(3)，电r在发射面的初始半释R。和互作用电路的电子束的引导半径就有女¨下关系： R；=瓦BoRn惫2) (4) 其叶1，k为电子回旋半径；R。为电引导中心半径； 口，、E分别为阴极表面的磁感应强度和互作用区 ， 磁感应强度。根据互作_}；}j电路的工作磁场、引导中 ，c、半经和电子回旋半径，利用方程