反应溅射条件对WO_3薄膜光电性能的影响与探索研究.pdfVIP

第 40卷第 5期 广 州 化 工 Vo1．40NO．5 2012年 3月 GuangzhouChemicalIndust~ March．2012 反应溅射条件对 WO3薄膜光 电性能的影响与探索 续 颖，杨 鑫，刘尚军，姜春萍，康 洪，高子辰，陈金伟，王瑞林 (四川大学材料科学与工程学院，四川 成都 610065) 摘 要：使用反应溅射法在 丌O导电玻璃基底上制备了附着力强、表面光滑、均匀的WO光电薄膜，系统地研究了氩气与氧气 流量比和溅射功率对该薄膜光电性能的影响。通过 XRD、AFM、Mott—Schottky(M—S)分别分析薄膜的物相、形貌、光电性质。光电 转化效率 (IPCE)测试表明：当氩氧流量比为2和溅射功率250W时，WO 薄膜的光电性能最好。该薄膜在400nm波长处的IPCE值 高达 40％。 关键词 ：WO；薄膜；反应溅射；水解制氢；光电转化效率(IPCE) 中图分类号：N34 文献标识码 ：A 文章编号：1001—9677(2012)05—0088—04 EffectofOxygenRatioandSputteringPoweron onPhotoelectricPerformna ceofW o3Flims XUring，YANG n，LIUShang一 m，JIANGChun-ping，KANG ng，GAOZi一 ，CHENJin一 ，WANGRui—Zn (CollegeofMaterialsScienceandEngineering，SichuanUniversity，SichuanChengdu610065，China) Abstract：WO3filmswithstrongadhesion，good smooth，uniform photoelectriccharacterwereprepraedon theFIO substratesbyreactivesputtering．TheeffectofAr：O2ratioandsputteringpoweronphotoelectric(PEC)performancewas studied．Th ephysicsphase，morphologyandPEC propertiesofthefilmswaschraacterizedbyXRD，AFM，na dMott— Schottky(MS)．Theincidentphototocurrentefficient(IPCE)testshowsedthatWO3filmhadthebestPECperforlTlancewhen prepraedwithhteflowof Ar：02=2nad250W sputteringpower．Th eIPCEvaluewasashighas40％ at400nnlwavelength． Keywords：WO3；films；RFsputtering；watersplitting；IPCE 自1972年Fujishima和Honda…发现n—TiO2半导体在紫外 备薄膜的理想方法。至今文献中报道的采用射频溅射制备的 光照射下，首次光解水获得氢气以来 ，各国研究人员对光解水制 WO，光电薄膜在可见光范围内光电转化效率值都较低 ，这 氢进行了大量卓有成效的研究。早期研究以TiO 为主，但其禁 可能是由于制备条件不妥而致。为了提高它的光 电化学性质 ， 带宽度大 (Eg=3．2eV)，仅能利用太阳光 中紫外光来产氢 。于是 本文通过研究溅射制膜过程中的氩氧流量 比和溅射功率两大影 研究人员在改善TiO：的性能方面做出许多有效的尝试 ，并取得 响因素优化制备 WO，薄膜的条件 ，以获得光电性能优异的WO， 不错的成绩，与此同时许多新的材料被发掘出来，研究重点都集 薄膜。 中在设计效率高的薄膜上。因此，半导体金属氧化物 Fe，O， WO 等，因其禁带宽度在可见光范围，且化学和光化学稳定