数电课件1第7章半导体存储器.pptVIP

第七章 半导体存储器 7.1 概述 7.2 只读存储器(ROM) 7.3 随机存储器(RAM) 7.4 存储器容量的扩展 7.1 概述 半导体存储器是一种能存储大量二值信息 (或称为二值数据)的半导体器件，其功能是在数 字系统中存放不同程序的操作指令及各种需要计 算处理的数据。半导体存储器是电子计算机以及 一些数字系统的不可缺少的组成部分。 半导体存储器从存、取功能上可以分为两 大类： （1）只读存储器(Read Only Memory，简称 ROM) 只读存储器(ROM)又分为掩模ROM、可编 程ROM(Programmable ReadOnly Memory,简 称PROM)和可擦除的可编程ROM(Erasable Pr ogrammable Read Only Memory，简称EPR OM)几种不同类型。 （2）随机存储器(Random Access Memory, 简称RAM) 随机存储器(RAM)根据所采用的存储单元 工作原理的不同，又分为静态存储器(Static Ra ndom Access Memory,简称SRAM)和动态存 储器(Dynamic Random Access Memory,简称 DRAM)。 从制造工艺上又可以把半导体存储器分为 双极型和MOS型。MOS电路(尤其是CMOS电路 )具有功耗低、集成度高的优点，目前大容量的 存储器都是采用MOS工艺制作。 7.2 只读存储器(ROM) 7.2.1 只读存储器的电路结构 只读存储器属于非易失存储器，断电后所 存储的数据不消失。在只读存储器中的掩模 ROM、可编程ROM、可擦除的可编程ROM(如 EPROM)，一旦数据写入，正常工作时所存储的 数据是固定不变的，只能读出，不能随时写入。 电信号可擦除的可编程ROM(如EEPROM)、快 闪存储器(Flash Memory)在正常工作时所存储 的数据是可以读出，也可以随时写入，断电后所 存储的数据不消失。 只读存储器(ROM)的电路结构如图7.2.1所 示。 图7.2.1 ROM的电路结构图 ROM的内部电路由存储矩阵、地址译码 器、输出缓冲器和存储器控制等组成。 每一个存储单元或基本存储单元有一个对 应的地址编码，以其对应的地址编码来寻找。若 按编址形式，存储单元可分为：(1)字结构方式 即一旦被选地址选中，读出一个存储单元的信息. 译码器采用线选法；(2)位结构方式即一旦被地 址选中，读出一个基本存储单元的信息。译码器 采用重合选择法。 地址译码器的作用是将输入的地址代码译 成相应的控制信号，利用这个控制信号从存储矩 阵中把指定的单元选出，并把其中的数据送到输 出缓冲器。 输出缓冲器的作用有两个，一是能提高存 储器的带负载能力，二是实现对输出状态的三态 控制，以便与系统的总线连接。 7.2.2 掩模只读存储器 掩模只读存储器所存储的数据是按照用户 的要求而专门设计的，由用户向生产厂订做，在 出厂时内部存储的数据就已经被“固化”在里边了, 只能读出，不能写入。存储单元可以用二极管构 成，也可以用双极型三极管或MOS管构成。每 个单元能存放1位二值代码(0或1)每一个或一组 存储单元有一个对应的地址代码。 一个由MOS管构成具有2位地址输入码A1、 A０和4位数据输出D0～D3的掩模只读存储器电 路如图7.2.2所示。 图7.2.2 用MOS管 构成的 掩模只读 存储器 存储矩阵 7.2.3 可编程只读存储器(PROM) PROM的总体结构与掩模ROM相同，所不 同的是在出厂时已经在存储矩阵的所有交叉点上 全部制作了存储元件。存储元件通常有两种电路 形式： 一种是由二极管组成的结破坏型电路； 另一种是由晶体三极管组成的熔丝型电路，结构 示意图如图7.2.3所示。 图7.2.3 PROM 结构 示意图 图7.2.4是一个4×４位熔丝型PROM结构示 意图。它由存储矩阵、地址译码驱动器以及读写 控制电路组成。图中存储矩阵由4×４个存储单 元组成。 图7.2.4 熔丝型 4×４位 PROM 结构 示意图 7.2.4 可擦除的可编程只读存储器(EPROM) 最早研究成功并投入使用的 EPROM 是用 紫外线照射进行擦除的， 并被称之为EPROM。 因此， 现在一提到EPROM， 就指的是这种用 紫外线擦除的可编程ROM(Ultra-Violet Erasabl e Programmable Read-Only Memory，简称 UVEPROM)。 EPROM采用MOS型电路结构，其存储单 元通常由叠栅型MOS管组成。叠栅型MOS管通