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低温烧结Ca[(Li1/3Nb2/3),Ti]O3-δ陶瓷的微波介点性能Ca[(Li1/3Nb2/3)1-Tix]O3-δ(0.55≥x≥0)固溶物与添加剂一起制造成一种烧结温度低的新型微波谐振器添加2.0% B2O3Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]O3-δ（0.1≤x≤0.3在1000℃烧结时得到最大的密度Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]O3-δ陶瓷显示了一个1：2的正交相。x的含量从0增加到0.5，介电常数也从30增加到60，品质因数Q×f从30000GHz降到14900GHz，频率温度系数也从-17 ppm/℃增加到83.6 ppm/℃。通常，x=0.2时，表现了良好的介点性能：ε=40，Q×f=20500GHz，τf=4.7 ppm/℃。此外，B2O3和Bi2O3的加入能有效得使Ca[(Li1/3Nb2/3)1-Tix]O3-δ的烧结温度降低到920℃并且介点性能没有明显的降低。 1.简介 通信业的快速发展，使无线微波陶瓷元件需求量增加。除了与高介电常数，高品质因子，Q×f值，零温度频率系数τf外，较低的成本和更小的元件尺寸成为为商业应用的关键要求。因此，应该重视发展给予了共烧陶瓷（LTCC）的微波应用的低温度，由于设计和铜的功能利用时变现多层小型化装置与银的高导电性的内部电极金属，如电气性能，使用高度，和它们的合金。低温共烧陶瓷材料将大大促进电子元件集成。一般来说，应用最高频使用的商业介质材料表明，高品质因数及高介电常数，但他们有一个高的烧结温度（ 1300℃）。 因此，新材料的发展对于烧结温度的降低表现了相当大的兴趣。这导致了有关对低熔点陶瓷的搜寻，如BiNb（Ta）O4，TiO2-TeO2,ZnTiO3。最近，Ca[(Li1/3Nb2/3)1-Tix]O3-δ由于其良好的介点性能和低的烧结温度受到重视。然而，这种材料烧结温度仍然太高，需要使用多层设备或内部银铜电极。此外，在高温下，Ca[(Li1/3Nb2/3),Ti]O3-δ陶瓷需要在铂来控制Li2O的挥发。我们先前的研究显示，添加0.5-4%的B2O3能有效的使Ca[(Li1/3Nb2/3)1-Tix]O3-δ陶瓷的烧结温度从1150℃降低到1000℃。这种做法表明，Ca[(Li1/3Nb2/3),Ti]O3-δ陶瓷有潜在的合作发射电路的可能性。本文中Ca[(Li1/3Nb2/3),Ti]O3-δ陶瓷的频率温度系数（-17ppm/℃）在Ca[(Li1/3Nb2/3)1-Tix]O3-δ(0.55≥x≥0)固溶物中得到趋于0的研究中得到改善。此外，混合物氧化硼和氧化铋的添加能使Ca[(Li1/3Nb2/3)1-Tix]O3-δ陶瓷在烧结温度上接近于900℃. 2. 实验高纯度（≥99.9％）的碳酸钙，碳酸锂，氧化钛，铌粉被用来作为初始氧化物粉末。该粉末按照Ca[(Li1/3Nb2/3)1-Tix]O3-δ(0.55≥x≥0)陶瓷的比例，添加乙醇和氧化锆球混合，干燥后在900℃下煅烧2小时。粉磨后再加入氧化硼和氧化铋再球磨24小时，将粉末在1500kg/cm2压制成直径为10毫米，厚度为5毫米的圆片。这些试样在900℃-1000℃下烧结。晶相分析的X射线粉末衍射（XRPD）使用Cu-Kα线辐射从10°到70°。表面微观结构的观察蚀刻陶瓷用扫描电子显微镜（SEM）。这些标本进行机械抛光，然后在960℃蚀刻10分钟。表观密度（ρ）的陶瓷是由阿基米德测量方法。陶瓷的理论密度是有X射线衍射晶胞体积的数据中获得的。Ca[(Li1/3Nb2/3),Ti]O3-δ陶瓷的介电常数（ε）和品质因数（Q）的测量时用科尔曼的介质谐振器方法在TE011模式在7至10 GHz的共振频率下得到的。频率温度系数的谐振器（τf）为计算范围20至80℃ 3结果和讨论3.1 添加氧化硼的Ca[(Li1/3Nb2/3)1-Tix]O3-δ（0.5≧x≧0）添加2%氧化硼的Ca[(Li1/3Nb2/3),Ti]O3-δ陶瓷的表观密度（ρ），相对密度（ρ/ρtho）作为烧结温度的曲线在图1中表示，烧结在1000℃烧结4小时的陶瓷样品的相对密度介于97.1％和98.2％之间，x=0.5的除外。Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]O3-δ(0.1≤x≤0.3）陶瓷的密度在1000℃烧结时达到最大，随着温度升到1100℃，密度稍稍降低。密度的稍微降低被认为与氧化锂在高温时挥发形成的空隙有关。因此，Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]O3-δ(0.1≤x≤0.3）陶瓷在1000℃下烧结4小时。对于x= 0.5的样品，密度随烧结温度的增加而上升，烧结温度到1100℃甚至更高。Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]O3-δ陶瓷的扫描电镜显示为致密的显微结构如