清华大学电子系讲义-数字电路（王德生）---八可编程.docVIP

存储器和可编程器件 Memory And Programmable Logic Devices 6．5 可编程逻辑技术 实现逻辑 可编程逻辑器件类型：（PLDs） ROM：read－only memory PLA：programmable logic array PAL：programmable array logic CPLD：complex programmable logic device GAL: generic array logic FPGA：field－programmable gate array 可编程逻辑器件的支持技术： 互联的建立与消除。 设立查找表。 晶体管开关的控制。 连接控制： 熔丝（fuse）：可编程点为熔丝构成连接，可高电压烧断，断开连接。 CLOSED 连接，OPEN 断开。 掩膜编程（mask programmable）：半导体制造商在器件制作的最后一步根据用户要求确定金属层的导线连接。器件量大时，经济上才合算。 反熔丝（antifuse）：编程前，连接点被高阻物质分开，断路，编程高电压使其熔化连接。 Mos n沟道晶体管用SRAM驱动：SRAM的位存1，晶体管导通，连接点连接，反之，断开。 前三种技术不可重编，但是永久的。第四种编程容易，但易失。 建立查找表(lookup table): 利用SRAM存储真值表，地址为逻辑输入，对应字为逻辑输出。 晶体管开关控制：浮栅技术。 利用浮栅存储电荷控制 晶体管的永久“开”与“关”。 浮栅的电荷可移去，称为擦除。采用这种技术的器件称为可擦除器件（erasable）。 擦除可用紫外光或电的方法（electrically erasable）。 6．6 只读存储器 （ROM） 永久存储二进信息，非易失（nonvolatile）。 ROM框图： 存2k个字。每字n位。无数据输入。常带有一个或多个使能，以便构成大阵列。 内部逻辑结构：32×8 ROM为例。 5－32译码器。每个输出对应一个存储地址。对应确定地址译码输出为1。 8个32扇入或门输出。每个译码输出经熔丝与或门可编程连接，形成或阵。 2k×n ROM内有K个地址输入端，2k译码器，n个2k可编程连接扇入或门。 ROM存储内容用真值表表示。例： Inputs Outputs I4 I3 I2 I1 I0 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 . . . . . . 1 1 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 真值表内容可被硬件编程输入。值0、1分别对应可编程连接点的断、通。 或阵中用×表示连接，＋表示断开。 上例真值表内容对应ROM内部逻辑连接结构如下图： ROM类型： 掩膜编程技术：ROM。 熔丝编程技术：PROM。 浮栅编程技术：EPROM。 电可擦编程技术：E2PROM。 编程技术的选择根据所需ROM的数量、编程与可重编性、器件延时而不同。 用ROM实现组合逻辑 除存储数据外，ROM可实现组合逻辑。 任何组合逻辑均可表示为输入变量的最小项之和，如将ROM的输入看作输入变量，其译码器产生了所有的最小项，其输出或门可编程实现任意最小项求和，所以ROM可实现任何所希的组合逻辑。 上例ROM可编程实现5变量输入8变量输出的任意组合逻辑： ×：连接，加入和运算，＋：开路，不加入和运算。 ROM常用于码制变换，复杂算术运算等。特别对于中等数量输入、大量输出的情况。 实现过程：提供真值表；编程输入。 例：用ROM实现3位二进数的平方运算。 导出真值表。 Inputs Outputs A2 A1 A0 B5 B4 B3 B2 B1 B0 Decimal 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 0 1 0 0 4 0 1 1 0 0 1 0 0 1 9 1 0 0 0 1 0 0 0 0 16 1 0 1 0 1 1 0 0 1 25 1 1 0 1 0 0 1 0 0 36 1 1 1 1 1 0 0 0 1 49 注意到 B0＝A0，B1＝0，有下表： A2 A1 A0 B5 B4 B3 B2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0