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第17卷第10期 中国有色金属学报 2007年10月
Metals Oct2007
Voll7N010 TheChineseJournalofNOnferrous
文章编号：1004—0609(2007)10一1597-07
熔硅浸渗工艺快速制备C／SiC复合材料的非等温氧化行为
闰志巧，熊翔，肖鹏，姜四洲，黄伯云
(中南大学粉末冶金国家晕点实验室，长沙410083)
摘要：以针刺整体毡为预制体，采用化学气相沉积(CVD)增密制备C／C多孔体，用熔硅浸渗(MsI)丁艺快速制各
C／SiC复合材料，通过非等温热重分析研究材料低温F的氧化反应动力学和反应机理。结果表明：C／SiC材料的
4C，比C／C
MSI工艺中，纤维闻硅化损伤产生的活十掌碳原子易先发生氧化，使C／SiC材料起始氧化温度倪为524
材料约低100C，且氧化产生大量的裂纹和界面，使材料在氧化初期即具有大的氧化反应速率，C／C材料则出现
氧化反应速率滞后现象。
关键词：C／SiC复合材料；C／C复☆剌料；熔硅浸渗；氧化动力学：机理
332 文献标识码：A
中图分类号：TB
ofC／SiC
Non-isothermaloxidationbchavior compositesrapidly
infiltration
moltensilicon
by technique
prepared
YAN Xiang，XIAO Si-zhou，HDANGBai—yun
Zhi-qian，XIONGPeng，JIANG
ofPowdar South
Laboratory Metallurgy,CentralUniversity,Chongsha410083，China)
(StateKey
felt donsifledchemical
Abstract：C／SiC wcm the whichwas
composites preparedby integrity by vapor
rapidly
moltensilicon TG wasusedto
analysis
deposition(CVD)andsubsequent infiltration(MSI)technique．Non-isothermal
the
oxidationkineticsandmechanismofthe atlower resultssllOWthat
studythe composites temperatures．The
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