FLASHMSP430外扩存储器.docVIP

FLASH? K9F1G?08U0M?在MSP4?30F14?9嵌入式系?统中的应用? NAND Flash?是采用NA?ND结构技?术的非易失?存储器，具有ROM?存储器的特?点，存储在该芯?片中的数据?可在断电情?况下维持1?0年不丢失?，而芯片的引?脚与访问又?具有类似于?RAM的特?点。NAND FLASH? 存储器将数?据线与地址?线复用为8?条线，另外还分别?提供了命令?控制信号线?，因此，NAND FLASH? 存储器不会?因为存储容?量的增加而?增加引脚数?目。从而极大方?便了系统设?计和产品升?级。 1 元件介绍 1.1 MSP43?0芯片 ? MSP43?0系列单片?机是TI公?司推出的1?6位RIS?C系列单片?机，该系列是一?组超低功耗?微控制器，供电电压范?围为1.8V—3.6V。考虑到本系?统有微体积?、低功耗的要?求，在此选用M?SP430?F149，它具有60?KB Flash? Memor?y、2kb RAM、有8个通道?采样率为2?00K的1?2位A/D转换器、硬件乘法器?、2个带有大?量捕获/比较寄存器?的16位定?时器、看门狗等，为系统的进?一步开发扩?展提供了良?好的基础，特别适用于?较复杂的系?统开发。 1.2 NAND Flash? ? NAND结?构Flas?h是Sum?sung公?司隆重推出?并着力开发?的新一代数?据存储器件?,在此选用芯?片K9F1?G08U0?M，电源电压２?.7V—3.6V，与MSP4?30F14?9一致，功耗低，容量可达1?28M×8Bit，按页进行读?写，按块擦除，通过I/O口分时复?用作为命令?引脚／地址引脚／数据引脚。有很高的可?靠性。 2 硬件设计 ?本系统中，K9F1G?08U0M?的数据输入?输出口与单?片机的P6?端口相连。片选信号与?单片机的P?2.4相连， CLE（命令锁存控?制端）、ALE（地址锁存控?制端）、WE（写操作控制?端）、RE（读操作控制?端）分别通过控?制单片机P?3.3、P2.3、P2.6、P2.5引脚的电?平，决定对FL?ASH ?进行控制字?操作、地址操作、写操作还是?读操作。在此不使用?写保护功能?，所以WP接?高电平。FLASH?与单片机的?部分连接组?成电路如图?1所示。 图1? MSP43?0F149?与K9F1?G08U0?M的连接 ? 3 软件设计 ?MSP43?0的开发软?件较多，本文采用I?AR公司的?集成开发环?境—IAR Embed?ded workb?ench 嵌入式工作?台，利用C43?0（MSP43?0系列的C?语言）编写调试。单片机对F?LASH的?操作主要有?写、读、擦除。 3.1 写操作 ? 向FLAS?H内部写数?据是基于页?的，K9F1G?08U0M?的命令字、地址和数据?都是通过并?行口线I/O0—I/O7在控制?信号的作用?下分时操作?。地址A0—A10，A11—A26通过?I/O0—I/O7分4次?送入。同时K9F?1G08U?0M芯片提?供了一根状?态指示信号?线 ，当该信号为?低电平时，表示FLA?SH可能正?处于擦除、编程或读操?作的忙状态?；而当其为高?电平时，则表示为准?备好状态，此时可以对?芯片进行各?种操作。本系统须写?入126M?数据写操作?流程图如图?2。 3.2 读操作 ? 读操作有串?行页读、连续行读、随机读3种?类型。在此选用串?行页读取。首先将读操?作控制字0?0h输入，再写入地址?，写入控制字?30h，待 信号变高后?，将本页数据?依次读出。随后再改变?页地址读出?其它页内数?据。操作流程图?如图3。 ???????????????????? 图2 写操作流程?图 图3? 读FLAS?H数据程序?流程图 3.3 擦除操作 ? 任何FLA?SH器件的?写入操作都?必须在空的?或已擦除的?单元内进行?，因此在进行?下一次存储?数据之前都?必须对FL?ASH进行?擦除操作。 ? 擦除操作基?于块，K9F1G?08U0M?内有102?4块，块地址的输?入需要两个?周期，块操作的地?址只有A1?8—A27有效?，A12—A17备忽?略。在地址后被?送入的块擦?除命令（D0h）启动块擦除?操作，待 信号变高后?，送入命令字?70h，读出I/O0的值来?判断数据擦?除是否成功?。图4为块擦?除流程图。 图4? 擦除FLA?SH程序流?程图 4 程序设计 ? 在此给出写?操作部分程?序，读操作和擦?除操作均可?参考文中流?程图来编程?，值得注意的?是其它具体?写地址操作?应仔细阅读? K9F1G?08U0M?芯片资料。 #inclu?de #defin?e?? CLE?? BIT3?? #defin?e?? ALE?? BIT3 #defin?