九十一学第一学期-郭艳光.doc

九十二學年度第一學期半導體雷射期末報告 長程光纖通信光源材料InGaAsN 之特性介紹與近代發展 班級：光碩一 學號姓名：陳秀芬 指導教授：郭艷光 博士 報告日期：2003/01/06 目錄 前言…………………………………………………….2 三種光源材料之比較………………………………….2 InGaAsN的物理特性...……………………………….4 N原子成分的影響……………………………….…..4 In原子成分的影響…………………………...……...6 電子有效質量………………………………………..7 InGaAsN LD與VCSEL的近年研究………………..7 Improved photoluminescence of InGaAsN-(In)GaAsP quantum well by organometallic vapor phase epitaxy using growth pause annealing…..7 Ultrafast (GaIn)(NAs)/GaAs vertical-cavity surface-emitting laser for the 1.3 (m wavelength regime……………………………......10 Room temperature continuous wave InGaAsN quantum well vertical-cavity laser emitting at 1.3 (m ………………….……...12 結論………………………………………………...…14 誌謝…………………………………………………...15 參考文獻…………………………………………...…15 前言 過去在商業應用上，長程光纖通訊的光源材料廣泛地採用InGaAsP系統，但近年來，新竄起的InGaAsN與AlGaInAs兩種材料被發現具有更多的優點[1]，引起學術界許多研究群的注意，紛紛將研究重點投注在這兩大材料中。而其中InGaAsN以高特性溫度與相當大的band offset ratio ((Ec：(Ev)取勝，擁有設計為面射型雷射(vertical-cavity surface emitting laser, 簡稱VCSEL)的極大優勢。以下將先簡介InGaAsN、AlGaInAs與InGaAsP三大材料的特性與比較，而後介紹InGaAsN的物理特性與發展，最後選擇三篇近年的研究論文，提供大家作為參考。 三種光源材料之比較 InGaAsP材料被廣泛地應用在長程光纖通訊上，作為1.31 (m或者1.55 (m的雷射光源，雖已大量商品化，但其在高溫下的熱效應卻是一大問題，根本原因來自於InGaAsP的band offset ratio較小。為克服此問題，許多研究群投入了InGaAsN與AlGaInAs兩種新材料的研究，這兩種材料的band offset ratio比值都大於1，因此對熱的敏感度較InGaAsP低，且電子溢流的情況較為改善，具有相當佔優勢的特性[2]。 在band offset ratio比值方面，各研究群的看法不同，但都相去不遠。InGaAsN的band offset ratio值分別有研究群提出為3.76 (約為0.79：0.21)[3-5]與3.70[1]；AlGaInAs的band offset ratio值有2.57 (約為0.72：0.28)[1,6,7]、2.33[8]、2.03[2]與1.46[5]等；而InGaAsP的band offset ratio則有0.66 (約為0.4：0.6) [6,8]、0.67[1,5]及0.85[2]等值，筆者擷取多數研究群使用的值，以比數方式列於表一中供參考。由於各研究群表示方法不同，為了易於比較，以上列出的值都已將(Ec除以(Ev計算完畢。Band offset ratio最直接影響到的就是特性溫度T0，此部份資料的概略值也整理於表一[7-10]，我們可以看出InGaAsN的特性溫度明顯地高於其他兩者，這代表著它對熱的敏感度較低，可承受較高的操作溫度，從表一中溫度對增益峰值(gain peak)的影響即可看出，在操作溫度300~350K的溫度下，InGaAsN發光波長不會因溫度有太大的偏移[2]。 表一 InGaAsN、AlGaInAs與InGaAsP的各項特性比較 InGaAsN AlGaInAs InGaAsP Band offset ratio, (Ec:(Ev 0.79：0.21 0.72：0.28 0.4：0.6 Characteristic Temperature, T0 (K) 120 70 60 The rate of the gain Peak shift (nm/K)