可逆畴壁位移的起码磁化率.pdf

第六章 技术磁化理论 前 言 第六节 反磁化过程、磁滞 与矫顽力 第一节 磁化过程概述 第二节 可逆壁移磁化过程 第七节 剩磁 第三节 可逆壁移的起磁化率 习 题 第四节 可逆畴转磁化过程 返 回 第五节 不可逆磁化过程 结束放映 磁化过程：磁体在外场作用下，从磁中性状态到 饱和状态的过程。 技术磁化：在缓慢变化或低频交变磁场中进行磁 化。（所考虑的是磁化已经达到稳定状态的问题） 获得磁中性状态的方法： 交流退磁：无直流磁场，对磁体施加一定强度的交 变磁场，并将其振幅逐渐减小到零。 热致退磁：将磁体加热到Tc 以上，然后在无H 时冷 却下来。 第一节 磁化过程概述 一、磁化曲线的基本特征 抗磁性、顺磁性、反铁磁性的磁化曲线均为一直线。 铁磁性、亚铁磁性磁化曲线为复杂函数关系。 磁化曲线可分为五个特征区域： M 趋近饱和区 1、起始磁化区 H很小，可逆磁化过程 M ＝ χH i 陡峭区 B ＝ μ μH （μ＝1+ χ） 0 i i i 2 、Rayleigh区 Rayleigh区 仍属弱场范围，其磁化曲线规律 起始磁化区 经验公式： H M H bH+χ 2 ( μ μ+ bH ) i i ( 2 ) B H bH bμ+μ0 i ( : 瑞利常数） 3、陡峭区 中场H范围。M变化很快。 是不可逆磁化过程，发生巴克豪森跳跃的急剧变化，其 χ与 μ均很大且达到最大值——又称最大磁导率区。 4 、趋近饱和磁化区 强H ，M变化缓慢，逐渐趋于技术磁化饱和。符合趋于 饱和定律： a a ⎛ ⎞ M M H − − − s ⎜1 2 L +χ⎟ p H H ⎝ ⎠ 其中a b 、 与材料形状有关