[工学]第09讲15-4半导体物理I半导体和p-n结.pptVIP

5.1 概述 * 5.2 材料的导电性能 5.4 半导体物理 5.3 金属电导 5.5 超导物理 第5章 导电物理 5.4 半导体物理 5.4.1 半导体与p-n结 5.4.2 半导体的物理效应 5.4.3 能带理论在半导体中的应用 5.4.4 半导体陶瓷的缺陷化学理论基础 5.4.1 半导体与p-n结 5.4.1.1 什么是半导体 半导体是这样一种固体，它在 0 K 时，其最高的一个被价电子占据的能带全部被填满，称价带，相继的一个能带完全没有电子，是空的，称导带，而且导带的最低一个能级和价带的最高一个能级被一个较窄的禁带隔开（禁带宽度约为2~2.5ev以下），因此价带中电子很容易被热能、电磁能或其他能量激发到导带上去，而在价带中留下空穴，在电场作用下，这些电子和空穴能自由地通过晶体运动。 5.4.1 半导体与p-n结 5.4.1.2 本征半导体与非本征半导体 本征半导体  在室温时，若半导体中由跃过禁带而到导带去的电子起决定作用，则这种半导体称为本征半导体。完全纯净的由同一种原子构成的“单晶体”，属于本征半导体。 非本征半导体  在室温时，若半导体中杂质能级的作用占据优势，则这种半导体称为非本征半导体。 在热力学温度零度和没有外界能量激发时，价电子受共价键的束缚，晶体中不存在自由运动的电子，半导体是不能导电的。但是，当半导体的温度升高（例如室温300K）或受到光照等外界因素的影响，某些共价键中的价电子获得了足够的能量，足以挣脱共价键的束缚，跃迁到导带，成为自由电子，同时在共价键中留下相同数量的空穴。 5.4.1.3 半导体中的两种载流子 自由电子和空穴的产生 空穴产生后，临近共价键中的价电子很容易填补这个空穴，从而使空穴转移到临近的共价键中去，而后，新的空穴又被其相邻的价电子填补，这一过程持续下去，就相当于空穴在运动。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动与带正电荷的粒子作反方向运动的效果相同，因此我们把空穴视为带正电荷的粒子。即半导体中存在两种载流子：即带电荷+q的空穴和带电荷–q的自由电子。  5.4.1.3 半导体中的两种载流子 在没有外加电场作用时，载流子的运动是无规则的，没有定向运动，所以形不成电流。在外加电场作用下，自由电子将产生逆电场方向的运动，形成电子电流，同时价电子也将逆电场方向依次填补空穴，其导电作用就像空穴沿电场运动一样，形成空穴电流。虽然在同样的电场作用下，电子和空穴的运动方向相反，但由于电子和空穴所带电荷相反，因而形成的电流是相加的，即顺着电场方向形成电子和空穴两种漂移电流。 5.4.1.3 半导体中的两种载流子 自由电子和空穴的运动 在外加电压作用下, 电子在导带中移动,空穴则在价带中朝相反方向移动 5.4.1.3 半导体中的两种载流子 自由电子和空穴的运动 元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。 化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。 二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、Ⅳ-Ⅵ族（如硫化铅、硒化铅等）、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。 三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元固溶体，如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。 有机化合物半导体有萘、蒽、聚丙烯腈等，还处于研究阶段。 5.4.1.4 元素半导体与化合物半导体 5.4.1.4 元素半导体与化合物半导体 锗比硅容易提纯，所以最初发明的半导体三极管是锗制成的。但是，锗的禁带宽度（0.67eV）只有硅的禁带宽度（1.11eV）的大约一半，所以硅的电阻率比锗大，而且在较宽的禁带中能够更加有效地设置杂质能级，所以后来硅半导体逐渐取代了锗半导体。硅取代锗的另一个主要原因是在硅的表面能够形成一层极薄的SiO2绝缘膜，从而能够制备MOS型三极管。 在化合物半导体中，载流子的移动速率远远大于硅和锗，所以能够制备更加高速的大规模集成电路。 5.4.1.5 n型半导体和p型半导体 半导体的杂质效应 理想晶体中电子只能占据在容许能级上，如价带和导带，而在禁带上是不存在任何孤立的能级让电子占据的。 由于杂质、热振动、位错、晶界及表面等的存在，使理想晶体严格的周期势场遭到破坏而发生畸变，电子处于这种势场中发生畸变的区域时，其能量和原电子能量有所不同，因此出现了新的能级，这种能级处于禁带之中