[信息与通信]第3章 CMOS器件模型.pptVIP

第３章　ＣＭＯＳ器件模型; 主要内容;３.１　MOS管大信号模型;MOS管大小信号模型关系;nmos管的大信号特性　;输出特性;大信号模型的推导思路;饱和特性;大信号ＭＯＳ管的工作区域;　ＮＭＯＳ管的电流方程 NMOS管在截止区、 线性区、 恒流区的电流方程;硅常数表;０.８um工艺参数;跨导特性;例题 大信号模型的应用;３.２ MOS管小信号模型;1 低频小信号模型;MOS管交流小信号模型---低频;几个重要的参数;饱和区MOS管的跨导gm;饱和区MOS管的跨导;饱和区MOS管的gmb;饱和区MOS管的gmb;饱和区MOS管的输出电阻;增益AV;MOS管的最高工作频率 ft;　MOS管的最高工作频率;MOS管交流小信号模型---高频;MOS管的高频小信号电容; 栅与沟道之间的栅氧电容 C2=WLCox，其中Cox为单位面积栅氧电容εox/tox； 沟道耗尽层电容： 　 交叠电容（多晶栅覆盖源漏区所形成的电容，每单位宽度的交叠电容记为Col）： 包括栅源交叠电容C1＝WdCol???栅漏交叠电容C4=WdCol：;MOS管栅源电容－饱和区 ;需要记住的电容;0.35um主要参数;讨论;Mos管设计考虑;主要公式(掌握);主要公式(续);　３.３ 计算机仿真模型;模型参数变化;尺寸缩小考虑因素;MOS的Spice模型参数 ;MOS管Spice模型参数;求解过程;　　仿真示例