[信息与通信]第五章 MOS器件_20101216163150342.ppt

半导体器件物理 第五章： MOS器件 §5.1 MOS结构的基本性质及MOS二极管 §5.2 MOS场效应晶体管的基本理论 §5.3 MOSFET的频率特性 §5.4 MOSFET的击穿特性 §5.5 MOSFET的功率特性和功率MOSFET结构 §5.6 MOSFET的开关特性 §5.7 MOSFET的温度特性 §5.8 MOSFET的短沟道和窄沟道效应 §5.9 短沟道MOSFET 简介 MOSFET在半导体器件中占有相当重要的地位，它是大规模集成电路和超大规模集成电路中最主要的一种器件。 MOSFET是一种表面场效应器件，是靠多数载流子传输电流的单极器件。它和前面介绍的JFET、MESFET统称为场效应晶体管，其工作以半导体的场效应为物理基础。 与两种载流子都参加导电的双极晶体管不同。场效应晶体管的工作原理是以简单的欧姆定律为根据的，而双极晶体管是以扩散理论为根据的。双极晶体管是电流控制器件，而场效应晶体管则是电压控制器件。 与JFET和MESFET栅压控制导电沟道截面积不同， MOS器件栅压控制的是导电沟道的载流子浓度。 与双极晶体管相比，场效应晶体管的优点是： （1）输入阻抗高。一般为1010Ω的数量级，最高可达1013Ω，这有利于放大器各级间的直接耦合，且只需要很小的前级驱动电流，并可与多个FET并联； （2）场效应晶体管的输入功耗很小； （3）温度稳定性好；因为它是