[高等教育]第03章 半导体二极管及基本电路.pptVIP

第三章 半导体二极管及基本电路 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2 A P 9 用数字代表同类型器件的不同型号 用字母代表器件的类型，P代表普通管 用字母代表器件的材料，A代表N型Ge B代表P型Ge，C代表N型Si，D代表P型Si 2代表二极管，3代表三极管 电路如图，求：UAB V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳V阴 二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V 例4： 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 二极管起钳位作用 D 6V 12V 3k? B A UAB + – 下一节 上一页 下一页 返 回 上一节 * 两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V UD1 = 6V， UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 优先导通，钳位，使 D1截止。 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V 例5: 流过 D2 的电流为 求：UAB D2 起钳位作用， D1起隔离作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – 下一节 上一页 下一页 返 回 上一节 * 例6: +6V R DA VA VB VY DB 当VA = 3V，VB = 0V时，分析输出端的电位VY。 理想二极管：VY = VB = 0V ∵ UDB UDA ∴ DB 优先导通， DA截止。 锗二极管：VY = VB + UD = 0.3V 硅二极管：VY = VB + UD = 0.7V -6V R DA VA VB VY DB ∵ UDA UDB ∴ DA 优先导通， DB截止。 理想二极管：VY = VA = 3V 锗二极管：VY = VA - UD = 2.7V 硅二极管：VY = VA - UD = 2.3V 下一节 上一页 下一页 返 回 上一节 * ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例7： ui 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – 下一节 上一页 下一页 返 回 上一节 二极管起限幅作用 * 用以前的限幅flash 下一节 上一页 下一页 返 回 上一节 例8 当Us 分别为 2 V、4 V，而 ui 分别为3 V、 3 V 时，试画出 uo 的波形。 * (2) 主要特点： (a) 正向特性同普通二极管 (b) 反向特性 较大的 ?I ? 较小的 ?U 工作在反向击穿状态。 在一定范围内，反向击穿 具有可逆性。 3.3 特殊二极管 （一）稳压二极管 （3）主要参数 稳定电压：Uz 最小稳定电流：Izmin 最大稳定电流：Izmax (1) 结构：面接触型硅二极管 U/V Izmin Izmax I/mA Uz 0 上一页 下一页 返 回 下一节 上一节 (a) 图形符号 (b) 伏安特性 * 例 稳压二极管的稳定电压UZ = 5V，正向压降忽略不计。当输入电压Ui 分别为 直流10 V、3 V、-5V时，求输出电压UO；若 ui = 10sin ωtV，试画出 uo 的波形。 ui 10V DZ R uo ui + + – – 解： Ui = 10V： DZ 工作在反向击穿区，稳压，UO = UZ = 5V Ui = 3V： DZ 反向截止，UO = Ui = 3V Ui = -5V： DZ 工作在正向导通状态，UO = 0V ui = 10sinωtV： ui正半周，当ui UZ，DZ 反向击穿，uO = 5V 当ui UZ，DZ 反向截止，uO = ui ui负半周，DZ 正向导通，uO = 0V 5V 上一页 下一页 返 回 下一节 上一节 * （二）光电二极管 光电二极管工作于反向偏置状态。无光照时电路中电流很小，有光照时电流会急剧增加。 光电二极管电路