[2018年最新整理]3常用电子元器件.ppt

电源模块 是可以直接贴装在印刷电路板上的电源供应器，有降压和升压两种，其特点是可为专用集成电路（ASIC）、数字信号处理器(DSP)、微处理器、存储器、现场可编程门阵列(FPGA)及其他数字或模拟负载提供供电。 分类： DC/DC电源模块：直流输入、直流输出的隔离型和非隔离型模块电源产品。 AC/DC通信电源：具有输入电压范围宽、交直流两用、高效率、高可靠性、低功耗、安全隔离等优点。 常用品牌：台湾元册、MORNSUN等。 1.概念： 2.常用电源模块图示： 真假货识别 (1).贴片钽电解电容： 丝印代码是否一致。 极性是否一致。 每个品牌的表面打字不一样，查资料确认。 焊点镀锡是否均匀。 (2).二极管、三极管： 丝印代码是否一致。 极性是否一致。 每个品牌不一定相同，查资料确认。 管芯是否用的进口。 发光管的一致性是否稳定。 (3).晶振： 丝印标示是否中性标。 代 理 品 牌 谢谢大家 半导体三极管也称双极型晶体管，晶体三极管，简称三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。 作用: 把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关。 1.概念: (1).按材质分: 硅管、锗管 (2).按结构分: NPN、PNP (3).按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等。 2.三极管的分类: 3.常用三极管图示: 4.三极管的主要参数: (1).特征频率fT:当f= fT时，三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT，电路将不正常工作。 (2).工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压、电流使用范围。 (3).hFE:电流放大倍数。 (4).VCEO:集电极、发射极反向击穿电压，表示临界饱和时的饱和电压。 (5).PCM:最大允许耗散功率。 (6).封装形式：指定该管的外观形状，如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。 5.判断基极和三极管的类型: (1).先假设三极管的某极为“基极”，将黑表笔接在假设基极上，再将红表笔依次接到其余两个电极上，若两次测得的电阻都大(约几K到几十K)，或者都小(几百至几K)，对换表笔重复上述测量，若测得两个阻值相反(都很小或都很大)，则可确定假设的基极是正确的，否则另假设一极为“基极”，重复上述测试，以确定基极。 (2).当基极确定后，将黑表笔接基极，红表笔笔接基它两极若测得电阻值都很少，则该三极管为NPN，反之为PNP。 (3).判断集电极C和发射极E，以NPN为例: 把黑表笔接至假设的集电极C，红表笔接到假设的发射极E，并用手捏住B和C极，读出表头所示C、E电阻值，然后将红，黑表笔反接重测。若第一次电阻比第二次小，说明原假设成立。 概念: 场效应晶体管Field Effect Transistor，缩写FET，简 称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。 特点: 具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 作用: 场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 场效应管可以用作电子开关。 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 场效应管可以用作可变电阻。 场效应管可以方便地用作恒流源。  6.场效应管: 场效应管的主要参数 : Idss — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。 Up — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 Ut — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 gM — 跨导。是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。 BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时。场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS。 PDSM — 最大耗散功率，也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效