闭管扩散犣状对犐状犘表面性质的影响.PDFVIP

第 卷 增刊 半 导 体 学 报 ２７ 犞狅犾．２７ 犛狌 犾犲犿犲狀狋 　 　 　 　 　 　 狆狆 年 月 ， ２００６ １２ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犇犲犮．２００６ 闭管扩散 对 表面性质的影响 犣狀 犐狀犘 ，， ， ， ， 吕衍秋１２ 庄春泉１２ 黄杨程１２ 李 萍１２ 龚海梅１ 　 　 　 　 　 （ 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海 ） １ ２０００８３ 　 （ 中国科学院研究生院，北京 ） ２ １０００４９ 　 摘要：利用闭管扩散方法以 为扩散源，在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂 （ ）晶片进行扩 犣狀犘 犐狀犘１００ ３ ２ 散 用电化学 法（ ）和二次离子质谱法（ ）分别测出了空穴浓度和 的浓度随深度的分布曲线 结果 ． 犆犞 犈犆犞 犛犐犕犛 犣狀 ． 表明扩散后 表面空穴和 的浓度在扩散结附近突然下降， 表面空穴浓度主要取决于扩散温度，扩散深度 犐狀犘 犣狀 犐狀犘 随着扩散时间的增长而变大， 表面 浓度一般比空穴浓度高一个数量级 另外对扩散后的样品进行光致发光 犐狀犘 犣狀 ． （ ）测试，表明在保证表面载流子浓度的同时，适当降低扩散温度和增加扩散时间能减小对 表面性质的影响 犘犔 犐狀犘 ． 关键词：闭管扩散；电化学 犆犞；二次离子质谱；光致发光 ： ； ； 犘犃犆犆 ７９６０ ６８２０ ７２８０犈 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖２１ 犃 ０２５３００１０５０４ 　　　 　　　 １ 引言 ２ 实验 　 　 离子注入和扩散是半导体晶体掺杂的主要手