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半导体 物 理 SEMICONDUCTOR PHYSICS 编写：刘诺 独立制作：刘诺 电子科技大学 微电子与固体电子学院 微电子科学与工程系 第五篇 非平衡载流子 §5.1 非平衡载流子的注入与复合 一、非平衡载流子及其产生 非平衡态：系统对平衡态的偏离。 相应的：n=n + ⊿n 0 p=p + ⊿p 0 且 ⊿n= ⊿p 非平衡载流子：⊿n 和⊿p （过剩载流子） 当非平衡载流子的浓度△n和 △p 《多子浓度时，这就是小注 入条件。 结论小注入条件下非平衡少子p 对平衡少子p 的影响大 0 非平衡载流子非平衡少子 二、产生过剩载流子的方法 光注入 电注入 高能粒子辐照 … 注入的结果 产生附加光电导  nq pq  n p     n n q  p p q 0 n 0 p     n q p q  nq pq 0 n 0 p n p   0 故附加光电导  nq pq 0 n p nq    n p 三、非平衡载流子的复合 光照停止，即停止注 入，系统从非平衡态 回到平衡态，电子- 空穴对逐渐消失的过 程。 即： △n=△p 0 §5.2 非平衡载流子的寿命 1、非平衡载流子的寿命 寿命非平衡载流子的平均生存时间 1 单位时间内非平衡载流子的复合几率  1  单位时间内非平衡电子的复合几