[初三理化生]3 三极管.pptVIP

3 三极管、场效应管及其电流源电路 3.1 晶体三极管 3.1.1 三极管的结构和符号 3.1.2 晶体管电流的可控性 2、晶体管内部载流子传输过程 3、受控电流的数学表达： 4、三极管的开关作用 3.1.3 晶体管的共射输入特性和输出特性 2、输出特性 3、晶体管的三个工作区域 3.1.4 温度对晶体管特性的影响 3.1.5 BJT的主要参数 3.1.6 复合管 复合管的组成：多只管子合理连接等效成一只管子。 讨论一 讨论二 3.2 场效应管FET 3.2.2 绝缘栅场效应管MOS 2、 ENMOS的工作原理 3、受控电流方程及V-I 特性曲线 4、DNMOS的工作原理及特性曲线 3.2.3 结型场效应管JFET 2、 DNJFET的工作原理 3、 受控电流方程 B.输出特性 讨论一 3.2.4 FET的主要参数 3.3 电流源电路 3.3.1 BJT电流源电路 3.3.2 FET电流源电路 三、极限参数 1、 最大漏极电流IDM 2、 最大耗散功率PDM 3、 最大漏源电压V（BR）DS 4、 最大栅源电压V（BR）GS 二、交流参数 2、 低频互导gm 3.3.1 BJT电流源电路 3.3.2 FET电流源 1、 镜像电流源 2、 微电流源 3、组合电流源 1、 JFET电流源 2、 MOSFET镜像电流源 3、 MOSFET多路电流源 1、镜象电流源 T0 和 T1 特性完全相同。 基准电流 即β0＝β1，ICEO0＝ICEO1 代表符号 3、多路电流源 2、微电流源 设三个集电区的面积分别为S0、S1、S2，则 2、镜象电流源 1、 JFET电流源 * * 3.1 晶体管三极管 3.2 场效应管 3.3 电流源电路 3.1.1 晶体管的结构和符号 3.1.2 晶体管电流的可控性 3.1.3 晶体管的共射输入、输出特性 3.1.4 温度对晶体管特性的影响 3.1.5 主要参数 3.1.6 复合管 多子浓度高 多子浓度很低，且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？ 1、 电流可控是如何实现的？ 从两个独立的理想二极管一个正偏，一个反偏。来理解…. 扩散运动形成发射极电流IE 复合运动形成基极电流IB 漂移运形成集电极电流IC 少数载流子的运动 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散？ 直流电流放大系数 交流电流放大系数 为什么基极开路集电极回路会有穿透电流？ 节点电流方程：iE＝iB＋iC 定义： 受控电流： 考虑反向电流的影响： 集电结反向电流 穿透电流 受控电流源 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1、输入特性 β是常数吗？什么是理想三极管？什么情况下 ? 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 饱和区 放大区 截止区 晶体管工作在放大状态时，输出回路电流 iC几乎仅仅决定于输入回路电流 iB；即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 ≤ uBE ＜βiB ≥ Uon 饱和 ≥ uBE βiB ≥ Uon 放大 VCC ICEO ＜Uon 截止 UCE IC UBE 状态 1. 电流放大系数 (2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const (1) 共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const 当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，可以不加区分。 2. 极间反向电流 (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO (1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM 3. 极限参数 (3) 反向击穿电压 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO 4. 温度对BJT参数的影响 (1) 温度对ICBO的影响 温度每升高10℃，ICBO