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总复习第一章 概论;集成电路分类 1. 数字、模拟、模数混合(按电路功能分） 2. MOS, 双极，BiMOS（按器件结构类型分） 3. SSI,MSI,LSI,VLSI（按规模分） 4. 单片，混合（按结构形式分） 集成电路按器件结构可分为什么类型，各有什么特点？ ;回答以下概念 （1）能带结构：导带、价带、禁带，多数载流子、少数载流子， （2）本征、n型、p型半导体（费米能级位置） （3）施主杂质、受主杂质、施主能级、受主能级 （4）费米能级 （6）迁移率、晶格散射、杂质散射 什么叫迁移率，迁移率与温度以及掺杂浓度有什么变化关系，并说明原因？ ;价带：被电子填充的能量最高的能带 导带： 未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差;金属导体Eg=0;施主能级;载流子的输运;影响迁移率的因素： 有效质量 平均弛豫时间（散射〕;散射机理;迁移率与掺杂浓度的关系;迁移率与温度的关系;总复习第2章 ; 平衡pn结：无偏压下的pn结;平衡：扩散流＝漂移流， 　　　n,p区域的费米能级一致 能带的弯曲，形成势垒 ; 雪崩击穿;P型; PN结的伏安特性 ;总复习第2章 ：双极型晶体管;三极管在结构上的两个特点： (1)掺杂浓度：发射区集电区基区； (2)基区必须很薄。;内部条件:(1)掺杂浓度：发射区集 电区基区； (2)基区必须很薄。 外部条件:发射结正偏，集电结反偏。 电路接法：共射接法。; 晶体管内部载流子的运动;⑵ 共射输出特性 ;总复习第2章 ：MOS晶体管; 绝缘栅场效应管;绝缘栅型场效应管是利用电场效应来改变导电通道的宽窄，从而控制漏-源极间电流的大小 栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用 ;当uGSUT 时，uDS0? iD有电流。 当uDS较小时， uGD= uGS - uDS UT，沟道各处宽度基本不变?电阻不变? iD与uDS线性关系。;uDS↑? uGD ↓ ?d处变窄，s处不变?电阻↑ ? iD与uDS非线性关系。 当uGD =UT时?d处沟道消失? 预夹断。 uDS↑↑ ? uGDUT? 夹断区向s处扩展? △uDS几乎全部降到夹断区? iD基本不变。; N沟道增强型MOS管的特性曲线;输出特性;输出特性;栅源电压对沟道的控制作用 在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 ①当uGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 ②当│uGS│↑时，PN结反偏，形成耗尽层，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 ③当│uGS│增加到一定值Up时 ，沟道会完全合拢。 ;漏源电压对沟道的控制作用 在漏源间加电压uDS ①当uDS=0时， iD=0。 ②uDS↑→iD ↑ →靠近漏极处的耗尽层加宽，呈楔形分布。 ③当uDS ↑，uGD=uG S- uDS=UP时，在靠漏极处夹断——预夹断。 ④uDS再↑，预夹断点下移。 预夹断前， uDS↑→iD ↑。预夹断后， uDS↑→iD 几乎不变。 ;结型场效应管的特性曲线;总复习第3章 ：IC原理;TTL反相器电路结构及工作原理 1） TTL反相器的电路结构 由三部分组成： 输入级：由T1、D1和电阻R1组成。 中间级：由T2、R2、R3组成。T2的集电极和发射极为T4、T5提供了两个相位相反的信号，所以这级又称倒相级。 输出级：由T4、T5、R4、D2组成。T5为反相器，T4是T5的有源负载，完成逻辑上的“非”。; 2）工作原理 Vcc=5V、 VIH=3.4V 、VIL=0.2V、 VON=0.7V (1)当vi=VIL输入低电平(0.2V)时，T1的发射结导通，T1基极电压VB1被钳位在 VB1=Vi+VBE1=0.2+0.7=0.9V VB1不能使T1集电结、T2、T5导通，T1集电结，T2、T5截止。 由于T2的b-c结反向电阻大， T1工作在深度饱和状态。VCE1≈0，VC2=高电平， VE2=低电平， ; (2)当vi=VIH输入高电平(3.4V)或悬空时， VB1=VIH+VON=4.1V， 因为T1的集电结、T2、T5导通的电 压是2.1V，T1的VB1被钳位在2.1V上， T1的发射结反偏。 电源VCC通过R1，T1的集电结 向T2、T5提供基流，使T2导通饱和， VC2↓、VE2↑，T4截止、T5导通， 输出Y为 低电平VOL。 ; （a）图是三输入端TTL与非门电路形式。T1的发