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高电压高功率硅晶闸管的主动驱动电路 Katsuji Iida, Hideki Ochiai, Abdallah Mechi, Hirofumi Mhtsuo**, Yoichi Ishizuka** * Toyo Electric MFG. Co., LTD 338- 1 Kamisoyagi, Yamato City, Kanagawa Pref., 242 Japan, Phon1e:i(0462) 63-6892, Fax:(0462)63-2947 ** Dept. of Electrical Engineering and Computer Science Nagasaki University 1-14yo-cho, Nagasaki City, Nagasaki Pref., 852 Japan Phon1e:1:0958)47- 11 I l,Fax:(0958)46-7379 摘要：高电压高功率硅晶闸管（简称SI-Thy）已经发展成熟并且在许多电力电子应用领域得到广泛应用。与可关断晶闸管（GTO）相比，这种新产品具有高速开关，低损耗且在高电压下有很高的转换频率。由于硅晶闸管的这些特殊特性，仅用一些用于开关断晶闸管的传统驱动电路来控制是不够的。因此，一种紧凑的新的栅极驱动电路产生了。它由一个能以高电压、高速、高频率驱动的驱动电路和一个独立控制的电源组成。该驱动电路是用于硅晶闸管控制的有效工具。 1.导言 高电压高功率硅晶闸管研发出的这些在高压状态下高速开关，高频率低功耗的这些优点比一般的可关断晶闸管更优良。虽然这些传统的可关断晶闸管在性能要求尚不能满足我们的这个驱动电路的要求，但在一般的许多电力电子的激励上我们仍然需要用到它们。因此，本文主要讲的是硅晶闸管在高频率状态下自主驱动的发展和一些特性。 2.开启和关闭操作过程 因为硅晶闸管是靠门电势来控制和驱动的，所以它将感应电势有效的控制在门电势的附近（如图1（a））。在PB层杂质的浓度应该比较高而在NB层的杂志浓度就应该比较低。这样，我们就可以在栅极（G））B.关闭操作 图2（a））贮存时间的。尤其在d iG/d t解除时，很 多载流子残留在Q部分（见图2(a)）））T的门电流在关闭的第一阶段迅速被输出，以避免应用其他的偏置电门。 3.常规驱动电路 如果在栅极和阴极之间有一个反 向偏置电压，硅晶闸管便处于关 关闭状态。基于这种情况下，如 果FET1关闭并且FET2打开，硅 晶闸管便是打开的。与此同时， 一个稳定的门电流通过FET2和 R2从EO1流入到栅极,而且一个高 的门电流通过R2和电容C组成 的微分电路流入。如果一个稳定 的门电流等于0.5A,而且高门电流 的峰值约为6A,那么它的时间常数 将在选定的R1=7.8,R2=0.5和C =2.2 F,电源EO1=5V,EO2=35V的情况下校准为1s。 A.影响运行频率的电容放电时间 电容C放电到R1和R2组成的这个闭环回路需要18 s.如果硅晶闸管的关闭时间太短，电容C的放电就会不完全。其结果导致当归晶闸管在打开时它的下一个高门电流变得不足。 B.FET1和FET2的回路问题 对于场效应管来说，它的关闭时间总是长于开启时间的，因此，当FET1和FET2的关闭时间同步时，一个状态回路产生而且有一个高达80A的大电流在EO1,EO2,FET2,R2,C和FET1构成的回路之间循环。为了避免这个问题，就需要一个延迟电路。 C.R1和R2的发热问题 如果硅晶闸管的占空比是50％，那么R1所流失的热量约为1.6W。比所有电容充电是R1和R2消耗的还要高。而且，热量流失还是递增的。为了避免这个问题，必须要一个大的电阻和一个大的导热结构。 4．新的驱动电路的特性 如图4所示，新驱动 电路是一个如图3常规门 电路的开发版。硅晶闸管 的关闭模式和图3所示的 一样。一个PNP型晶体管 代替了FET2并且消除了回 路中的栅极电流。包括高 栅电流的所有电流，都由 和晶体管基极相连的rD和 cD组成的一个微分电路控 制。在开启状态的第一阶 段，有一个大的栅极电流 流入。然后，晶体管的发 射极工作，并且由于二极 管D1的原因，集电极的电 流不能超过10A. 放电时间和工作频率范围 电容cD的放电时间大约是0.22S。因此，即使硅晶闸管的关闭时间变得更短，驱动电路的正常运作时有保障的。 在回路模式下的场效应管和晶体管 晶体管的集电极电流限制在10A。因此，即使场效应管和晶体管都工作在回路模式时，驱动电路的安全性也有保障。 rD和rZ导致的热量散失问题 由于rD和rZ只有基极的电流流过，所以电阻很少被激发而发热。晶体管可以用一个简单的铝板来散热。因此，新的设计方法比传统的方法更好。而硅晶闸管栅