ARM9260不同存储区运行速度对比.docVIP

ARM9260不同存储区运行速度对比 ARM9260简介 关于ARM9260运行速度的疑问，在阅读Atmel片内固化启动代码Bootloader和ARM9260EJ-S相关文档后，发现使能CP15协处理器ICache后运行速度有巨大的提高。为了说明问题，现将各种情况下的运行速度作详细的说明。 内核简介 AT91SAM9260使用ARM926EJ-S内核，内部1.1MIPS/MHz五级流水线和哈佛结构，主频可达240MHz；并且扩充了DSP指令，使用增强的乘法器，32位整数乘法一个周期完成，16位浮点定点乘法一周期完成。 外部存储介质支持SDRAM、DataFlash（SPI）、NANDFlash、NorFlash、SRAM、CompactFlash等。片内固化32K启动代码Bootloader，自动加载DataFlash或NANDFlash内程序和SAM-BA烧写程序。 CP15协处理器 ARM926EJ-S内核集成了CP15协处理器，可对特殊参数进行设置，共有16个寄存器。AT91SAM9260一般只需设置C1控制寄存器，命令格式和寄存器的含义如下： MRC p15, 0, Rd, c1, c0, 0 ; read control register MCR p15, 0, Rd, c1, c0, 0 ; write control register 复位后CP15的值为0即是正常中断向量、Cache Random Replacement、ICache禁止、Little-endian、DCache禁止、MMU禁止。 实际测试MMU使能程序错误，个人认为应该为程序未使用文件系统有关；Round-Robin Replacement和ICache/DCache不可同时使能；Round-Robin Replacement和DCache使能速度基本没有改善，ICache使能可显著提高运行速度。实际上Atmel启动代码Bootloader使能了ICache。 ARM9260不同存储介质运行速度对比 相同延时程序ARM7与ARM9之间运行速度对比 ARM7使用片内存储器，主频57.6MHz，128位内部总线无延时。1s延时程序如下（计数57.6M /5100=11294）： ARM9使用片外SDRAM，内核速度PCK=192MHz，总线速度MCK=96MHz，32位总线无延时。1s延时程序如下（计数96M/9000=10666）： 如果使用片外Flash，16位总线10个MCK延时。实测1s延时比SDRAM方式慢100倍。 由此可知：在未使能ICache的情况下ARM9在SDRAM运行速度与ARM7相当（内核速度高，但是取指受存储器速度限制），在大计算量的情况下好于ARM7（ARM9有增强的乘法器）。 使能ICache前后ARM9不同介质运行速度对比 测试方法：相同的延时程序不同介质运行，运行完毕耗费的时间；耗费时间使用定时器测量。 延时程序，计数大约1万个： 定时器设置：时钟MCK/128，记满65536为一个时间片，大约87ms（1/（MCK/128）*65536=0.087381s）。 耗费时间对比： 程序存储介质 数据存储介质 ICache DCache/ RoundRobin Delay 花费时间片 IRAM0（内部RAM） IRAM1（内部RAM） No No 1000 15 SDRAM（32位100M时钟） IRAM1（内部RAM） No No 1000 20 NorFlash（16位70ns延时） IRAM1（内部RAM） No No 100 207 IRAM0（内部RAM） IRAM1（内部RAM） No Yes 1000 15 SDRAM（32位100M时钟） IRAM1（内部RAM） No Yes 1000 20 NorFlash（16位70ns延时） IRAM1（内部RAM） No Yes 100 143 IRAM0（内部RAM） IRAM1（内部RAM） Yes No 1000 4 SDRAM（32位100M时钟） IRAM1（内部RAM） Yes No 1000 - NorFlash（16位70ns延时） IRAM1（内部RAM） Yes No 1000 3 IRAM0（内部RAM） IRAM1（内部RAM） Yes Yes 1000 4 SDRAM（32位100M时钟） IRAM1（内部RAM） Yes Yes 1000 3 NorFlash（16位70ns延时） IRAM1（内部RAM） Yes Yes 1000 3 由此可知：使能ICache和DCache后程序执行速度非常快，外部NorFlash的速度已于SDRAM或者IRAM中运行速度不相上下。比