4.1半导体三极管(BJT).pptVIP

4.1.1 BJT结构简介 三极管的构造核心：一块有两个相互联系的PN结单晶；示意图如下 半导体三极管的型号 思考与习题 * 4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数 4.1 半导体三极管（BJT） 4.1.5 温度对BJT参数及特性的 影响 发射区 发射极，用E或e 表示（Emitter） 发射结(Je) 基极，用B或b表示（Base） 集电极，用C或c 表示（Collector） 集电区 基区 集电结(Jc) 两种类型的三极管 两种BJT类型NPN型和PNP型及其符号 4.1.1 BJT简介 BJT制造工艺：合金法、扩散法 按材料：硅三极管、锗三极管 按用途：高频管、低频管、功率管、开关管 (国标) ：国产三极管的命名方案 4、.1.1 BJT简介 BJT的分类 BJT的外形图 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 材料 器件的种类 同种器件型号的序号 同一型号中的不同规格 三极管 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 三极管的放大原理归结为 外部条件：发射结正偏，集电结反偏 内部机制：载流子传输 发射区：发射载流子（IE） 基 区：载流子复合（IB’）与扩散 集电区：收集扩散载流子（InC）并存在反向漂移电流（ICBO） 载流子的传输过程 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 1. 内部载流子的传输过程 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)都参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 （以NPN为例） 各极电流之间的关系式 共基极电流传输系数。 因ICBO较小，所以 又因 则，IC≈IE 因ICEO较小，所以 共发射极电流放大系数。 IE =IC+IB ? 1 （3）共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; （2）共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 （1）共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 3. 三极管的三种电路组态（原型电路） 电压增益（电压放大倍数） 电流增益 互阻增益 互导增益 信号源 负载 4. 放大作用简释（1）模拟信号的放大（补1.2.1） 若 ?vI = 20mV 使 当 则 电压放大倍数 IB ?iE = -1 mA， ?iC = ? ?iE = -0.98 mA， ?vO = -?iC? RL = 0.98 V， ? = 0.98 时， （2） 共基极放大 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 RL e c b 1k? 共基极放大电路 VEE VCC VEB IE IC + - ?vI +?vEB ?vO + - +?iC +?iE IB +?iB + - + - b c e RL 1k? 共射极放大电路 共射极放大电路 VBB VCC VBE IB IE IC ?vI +?vBE ?vO + - +?iC +?iE +?iB ?vI = 20mV 设 若 则 电压放大倍数 ?iB = 20 uA ?vO = -?iC? RL = -0.98 V ? = 0.98 使 （3） 共射极放大 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 两个条件 （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 思考1：可否用两个二极管相连构成一个三极管？ 思考2：可否将e和c交换使用 思考2：外部条件对PNP管和NPN管各如何实现？ IE=IB+ IC IC=βIB IC=αIE 综上所述，三极管的放大作用，是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 一组公式 + - b c e 共射放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iB=f(vBE)? vCE=const (2) 当