2015第13课第10章半导体超晶格和多量子阱2.pptx

内容;10.8 垂直于超晶格方向的电子输运;在量子力学的观点中，在势垒后方仍有一定几率发现粒子．也就是说，即使粒子的能量低于垫垒高度，它仍有一定的几率穿过这个势垒．这种现象就称为量子隧穿现象，它是共振隧穿器件的主要工作基础.;;左侧势垒电子能量和阱中的量子化能级一致（共振）时，电子才能无反射地进入势垒右侧。 能量不发生共振的电子被反射回来不能通过双势垒结构。;由于电子具有波动性，进入势阱的电子在势阱的两个界面之间经历多次反射。 多次反射是否破坏电子的相干性，决定于电子的波长。;3 共振隧穿理论;to separate the energy into its longitudinal and transverse components. The energy is then given as;;传递矩阵;如果电子的平均自由程较短，在它碰撞之前只能穿透几个势垒因此，上式只适用于周期不多的超晶格。;2 双势垒共振隧穿二极管的基本工作原理;TB:单势垒的透射系数，RB:单势垒的反射系数，W:阱宽 k:入射电子垂直方向波数。;; 半导体电子器件如二极管、三极管等的发明和应用已经有几十年的历史．在这些器件中，电子的运动基本上可以用经典物理的概念来描述．但是，随着近年来半导体材料的生长和制备技术的不断发展，出现了一些新型的电子器件．在这些器件中，电子的波动特性已经不可忽略，电子的运动也必须在量子力学的框架内处理．我们称这类器件为半导体量子电子器件．本讲介绍一种重要的量子电子器件：共振隧穿器件．;共振隧穿器件具有以下几个特点。 高频、高速工作。由于隧穿机制是一种高速物理机制，RTD本征电容小，器件有源区很短，决定了它具有非常快的速度和非常高的工作效率。理论上预计RTD从峰值到谷值的转换频率可达到1.5—2.5 THz，实际的RTD器件的最高振荡频率已达到712 GHz[ ，RTD的开关时间低达1.5 ps 。 低工作电压和低功耗。通常RTD的工作电压在0．5 V左右，工作电流为mA量级，如在材料生长过程中设计预势垒层，可将工作电流降到 A级，实现低功耗运用。如以RTD制作的静态随机存储器(SRAM)，每单元的功耗为50 nW。另外， 由于RTD电路可节省大量器件数目，故可降低总功耗。 负阻，双稳和自锁特性。负阻是RTD和RTT的基本特性。由??阻特性进而导致双稳和自锁特性。这些特性是构成RTD和RTT模拟电路和数字电路的基础。 多种逻辑功能和用少量器件完成一定逻辑功能的特性。由于自锁特性，一个RTD就相当于一个触发器，故用RTD构成电路可节省大量器件数量。例如构成一个异或(XOR)门 ，用TTL需33个器件，用CMOS需16个器件，用ECL需11个器件，而用RTD只需4个器件。;;利用负阻效应制作高频振荡器; ? 若 将 纳 米量 级 的 RTDs 作 在 微 米级 的 MOSFET源或漏上，形成量 子效应－ 体效应器件，便 可实现随偏压变化漏电流 的多重开关态。即在不增 加功耗和不减小尺寸情况 下，可将数字电路的逻辑 密度增加100－1000倍。;10.10 超晶格量子阱的光谱特性;1 激子光谱;二维激子的结合能是三维激子的四倍。;2 量子限制斯塔克(Stark)效应 ? 量子阱中的激子吸收峰,在电场的作用下发生明显红移的现象,称作为量子限制斯塔克效应.所谓激子是由激发到导带和价带中的电子和空穴形成的一个类氢原子束缚态.二维激子有着比三维体材料激子大得多的束缚能! 利用量子限制斯塔克效应,已研制成功光调制器和光双稳器件等.;电场下激子的量子约束效应（红移，斯塔克效应量子禁闭);　10.10 量子阱双稳态光开关器件;对应于某一入射光功率Pin ,可能有两种不同的状态. 取输入光的能量为电场为零时重空穴激子吸收峰对应的能量E0 第一种状态是量子阱中的电场小,吸收大,因此光电流大,在回路中,串联电阻RL 上的压降大,二极管上的电压VJ= V0 - IL RL 就小,这种状态称为Ⅰ状态. 第二种状态是量子阱中的电场大,激子吸收曲线如图4 中的虚线所示,对能量为E0 的输入光,吸收系数变小,因此光电流小,在RL 上的压降小,这种状态称为Ⅱ状态.;将SEED 用传统的光刻技术做成阵列,并将开关功率设计成与现有的二极管激光器光源相匹配,已经制成了光子计算机的原型. 目前虽然开关速度限制在MHz 范围,但它的有效计算功率已经比传统的电子计算机降低了几个数量级。