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模电复习题 文档
模电习题库
一、名词类
1、本征半导体:2、负反馈:3、共模抑制比:4、闭环放大倍数:
4、静态工作点:5、甲类放大器:6、开环放大倍数:7、通频带:
8、PN结的动态平衡,
9、PN结的雪崩击穿齐纳击穿。
10、零点漂移(零漂),噪声。
11、负反馈,正反馈
12、N沟道增强型MOSFET的开启电压---
13、输入电阻,输出电阻,增益,频率响应,非线性失真,半功率点。幅度失真,相位失真。
14、幅频响应,相频响应。上边起源 下边频。虚短路,虚断路
15、扩散,漂移,正向偏置,反向偏置,
16交越失真,甲类放大器,乙类放大器,甲乙类放大器,
17、有源滤波,高通,低通,带通,带阻。一阶滤波,二阶滤波,传递函数,谐振角频率。
18、串联谐振,并联谐振。
二、单选择类
1、半导体中空穴导电的原理是( )。
A电子的接力运动。B空穴在电场力作用下定向移动。C空穴的接力运动。D杂质粒子在电场力作用下定向移动。
2、P型半导体是在本征半导体内掺入少量的( )元素而获得的杂质半导体。
A二价元素。B三价元素。C四价元素。D五价元素。
3、模拟信号是指( )的信号。
A时间和数值都连续。B数值连续。C时间数值离散。D时间连续。
4、放大电路的电压放大倍数是指( )。
A输出电流与输出入电压之比。B输出电压与输出入电流之比。C输出电流与输出入电流之比。D输出电压与输出入电压之比。
5、某电路电压增益为60dB,该电路的电压放大倍数为( )倍。
A10。 B100。 C1000。 D10000。
6、放大电路的非线性失真是由( )引起的。
A信号本身失真。B放大器件的非线性失真。C电抗元件。 D电阻。
7、N型半导体是在本征半导体内掺入少量的( )元素而获得的杂质半导体。
A二价元素。B三价元素。C四价元素。D五价元素。
8、Si 二极管正向导通时正常工作电压约为( )伏。
A 0.7V, B 0.5V ,C 0.4V,D 0.2V。
9、晶体管工作在放大区时外部电压条件为( )。
A发射结正偏置集电结反偏置。B发射结反偏置集电结正偏置。C发射结正偏置集电结正偏置。D发射结反偏置集电结反偏置。
10、Si 二极管正向导通时死区电压约为( )伏。
A 0.7V, B 0.5V ,C 0.4V,D 0.2V。
11、小功率晶体三极管的输入电阻约为( )欧姆。
A 2KΩ左右。B 100Ω左右。C 1000Ω左右。D 2.5KΩ左右。
12、BJT的电流分配关系为( )。
A IE=IC-IB 。 B IB=IC-IE。 C IC=IB-IE 。 D IE=IC+IB。
13、晶体三极管共射极放大倍数的实质是( )。
A把微弱电流进行放大。B以小电流空制大电流。C以强电流空制弱电流。D以弱电流空制高电压,
14、fH称为放大电路的( )。
A截止频率。B下限止频率。C上限频率。D通频带。
15、BJT称为( )。
A双极型三极管。B单晶型晶体三极管。C绝缘栅型晶体管。D杂质型晶体。
16、双电源互补对称功率放大电路,由于静态工作点为0,所以产生( )。
A非线性失真。B频率失真。C线性失真。D交越失真。
17、乙类双电源功率放大电路实际是由( )组成的。
A两个不同极性的三极管构成的共发射极电路组成的。
B两个不同极性的三极管构成的共基极电路组成的。
C两个不同极性的三极管构成的共集电极电路组成的。
D两个同极性的三极管构成的共集电极电路组成的。
18、正弦波振荡器起振的幅度条件是( )。
A AFI。 B AF1。 C 1+AF1。 D 1+AF1。
19、电压串联负反馈可以使放大电路的( )。
A输入电阻减小输出电阻增大。B输入电阻增大输出电阻增大。C输入电阻减小输出电阻减小。D输入电阻增大输出电阻减小。
20、二极管的正向电阻比反向电阻( )。
A相等。B大。C 小。D较小。
21、工作在放大区的某三极管,当其IB从而20uA增大到来40uA时IC从2mA增大到3mA,它的β约为( )。
A 10。B 100。 C 50。 D 150。
22、三点式正弦波振荡器振荡的相位条件为( )。
A射反基同。B射反基反。 C射同基同。D射同基反。
23、某放大电路在负载开路时输出电压为6V,当接入场2KΩ负载电阻后,输出电压降为4V,该电路的输出电阻为( )。
A 1KΩ。B 2KΩ。 C 10KΩ。 D 1.5KΩ。
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