基于ＣＭＯＳ阈值电压的基准电路设计.docVIP

基于ＣＭＯＳ阈值电压的基准电路设计 　　摘 要:在数/模混合集成电路设计中电压基准是重要的模块之一。针对传统电路产生的基准电压易受电源电压和温度影响的缺点,提出一种新的设计方案,电路中不使用双极晶体管,利用PMOS和NMOS的阈值电压产生两个独立于电源电压和晶体管迁移率的负温度系数电压,通过将其相减抵消温度系数,从而得到任意大小的零温度系数基准电压值。该设计方案基于某公司0.5 μm CMOS工艺设计, 经HSpice仿真验证表明,各项指标均已达到设计要求。 　　关键词:CMOS;电压基准;阈值电压;温度系数 　　中图分类号:TN432文献标识码:B 　　文章编号:1004-373X(2009)10-184-05 　　 　　Design of Voltage Reference Based on CMOS Threshold Voltage 　　ZHANG Qian 　　(Computer Department,Xi′an Conservatory of Music,Xi′an,710061,China) 　　Abstract:In the D/A mixed signal circuit design,the voltage reference is one of the most important module.Due to the disadvantages that the voltage reference generated by the traditional circuit can be influenced by the supply and temperature easily,a novel circuit is designed.The designed circuit doesn′t use the bipolar transistor,and forms two negative TCs voltages based on the MOS thresholds which are independent of the power supply and the mobility.By subtracting the two voltage then overcome the problem of a fixed reference voltage in the conventional CMOS bandgap.This circuit is designed based on the 0.5 μmCMOS process,and its performance has been verified reaching the design goal by HSpice simulation. 　　Keywords:CMOS;voltage reference;threshold voltage;temperature coefficient 　　 　　电压基准是混合信号电路设计中一个非常重要的组成单元,它广泛应用于振荡器、锁相环、稳压器、ADC,DAC等电路中。产生基准的目的是建立一个与工艺和电源电压无关、不随温度变化的直流电压。目前最常见的实现方式是带隙(Bandgap)电压基准,它是利用一个正温度系数电压与一个负温度系数电压加权求和来获得零温度系数的基准电压。但是,在这种设计中,由于正温度系数的电压一般都是通过晶体管的be结压差得到的,负温度系数电压则直接利用晶体管的be结电压。由于晶体管固有的温度特性使其具有以下局限性: 　　(1) CMOS工艺中对寄生晶体管的参数描述不十分明确; 　　(2) 寄生晶体管基极接地的接法使其只能输出固定的电压; 　　(3) 在整个温度区间内,由于Vbe和温度的非线性关系,当需要输出精确的基准电压时要进行相应的曲率补偿。 　　为了解决这些问题,提出一种基于CMOS阈值电压的基准设计方案。它巧妙利用PMOS和NMOS阈值电压的温度特性,合成产生与温度无关的电压基准,整个电路不使用双极晶体管,克服了非线性的温度因子,并能产生任意大小的基准电压值。 　　1 传统带隙电压基准电路 　　图1为典型带隙基准[1]的原理示意图。 　　图1 典型带隙基准原理示意图 　　假设R1=R2,根据运算放大器两输入端电压相等的原则,可以得到Va=Vb,又Vbe1-Vbe2=VTlnn,因此输出电压为: 　　 　　Vout=Vbe2+VTlnnR3(R3+R2)= 　　 Vbe2+VTlnn(1+R2/R3)(1) 　　故: 　　 　　??Vout/??T=??Vbe2/??T+lnn(1+R2/R3)??VT/??T(2) 　　 　　V