磁控溅射镀膜原理及工艺.ppt

在高压作用下Ar原子电离成为Ar+离子和电 子，产生等离子辉光放电，电子在加速飞向 基片的过程中，受到垂直于电场的磁场影响， 使电子产生偏转，被束缚在靠近靶表面的等 离子体区域内，电子以摆线的方式沿着靶表 面前进，在运动过程中不断与Ar原子发生碰 撞，电离出大量的Ar+离子，与没有磁控管的 结构的溅射相比，离化率迅速增加10～100 倍，因此该区域内等离子体密度很高。 经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低， 摆脱磁力线的束缚，最终落在基片、真空 室内壁及靶源阳极上。而Ar+离子在高压电 场加速作用下，与靶材的撞击并释放出能 量，导致靶材表面的原子吸收Ar+离子的动 能而脱离原晶格束缚，呈中性的靶原子逸 出靶材的表面飞向基片，并在基片上沉积 形成薄膜。 3.4试验过程 3.4.1准备过程 （1）动手操作前认真学习讲操作规程及有 关资料，熟悉镀膜机和有关仪器的结构及功能、 操作程序与注意事项，保证安全操作。 （2）清洗基片。用无水酒精清洗基片，使 基片镀膜面清洁无脏污后用擦镜纸包好，放在 干燥器内备用。 （3）镀膜室的清理与准备。先向真空腔内充 气一段时间，然后升钟罩，装好基片，清理镀 膜室，降下钟罩。 3.4.2试验主要流程 （1）打开总电源，启动总控电，升降机上升， 真空腔打开后，放入需要的基片，确定基片位置 （A、B、C、D），确定靶位置（1、2、3、4， 其中4为清洗靶）。 （2）基片和靶准备好后，升降机下降至真空 腔密封（注意：关闭真空腔时用手扶着顶盖，以 控制顶盖与强敌的相对位置，过程中注意安全， 小心挤压到手指）。 （3）启动机械泵，抽一分钟左右之后，打开 复合真空计，当示数约为10E-1量级时，启动分子 泵，频率为400HZ（默认），同时预热离子清洗 打开直流或射流电源及流量显示仪。 （4）（选择操作）打开加热控温电源。启动 急停控制，报警至于通位置，功能选则为烘烤。 （5）但真空度达到5×10-4Pa时，关闭复合真 空计，开启电离真空计，通氩气（流量 20L/min），打开气路阀，将流量计Ⅰ拨至阀控 档，稳定后打开离子源，依次调节加速至 200V~250V，中和到12A左右，阳极80V，阴极10V， 屏极300V。从监控程序中调出工艺设置文件，启 动开始清洗。 （6）清洗完成后，按离子源参数调节相反的顺 序将各参数归零，关闭离子源，将流量计Ⅱ置于关 闭档。 （7）流量计Ⅰ置于阀控档（看是否有读数，一般为 30。否则查明原因），调节控制电离真空计示数约1Pa， 调节直流或射频电源到所需功率，开始镀膜。 （8）镀膜过程中注意设备工作状态，若工艺参数有 异常变化应及时纠正或停止镀膜，问题解决后方可重 新镀膜。 （9）镀膜完毕后，关闭直流或射频电源，关闭氩气 阀门。将挡板逆时针旋至最大通路。当气罐流量变为 零后，关闭流量计Ⅱ，继续抽半个小时到两个小时。 （10）关闭流量显示仪和电离真空计，停止分子泵， 频率降至100HZ后关闭机械泵，5分钟后关闭分子泵， 关闭总电源。 3.5不同工作气压下所得试验结果 靶材 基底 负偏压 V 工作气压10-3torr 传动速度 m/min 时间 min 厚度 nm 沉积率 nm/min 纯铜 陶瓷 70 1.0 3 6 200 33.3 纯铜 陶瓷 70 1.5 3 6 260 43.3 纯铜 陶瓷 70 2.0 3 6 320 53.3 纯铜 陶瓷 70 2.5 3 6 310 51.7 纯铜 陶瓷 70 3.0 3 6 290 48.3 纯铜 陶瓷 70 3.5 3 6 260 43.3 纯铜 陶瓷 70 4.0 3 6 225 37.5 由工作气压与沉积率的关系表可以 看出：在其他参数不变的条件下， 随着工气压的增大，沉积速率先增 大后减小。在某一个最佳工作气压 下，有一个对应的最大沉积速率。 3.5.1试验结果分析 气体分子平均自由程与压强有如下关系 ? 其中 为气体分子平均自由程, k为玻耳兹曼常 数，T为气体温度, d为气体分子直径, p为气体压 强。由此可知，在保持气体分子直径和气体温度 不变的条件下，如果工作压强增大，则气体分子 平均自由程将减小，溅射原子与气体分子相互碰 撞次数将增加，二次电子发射将增强。 而当工作气压过大时，沉积速率会减小，原因有 如下两点： （1）由于气体分子平均自由程减小，溅射原子 的背反射和受气体分子散射的几率增大，而且这一 影响已经超过了放电增强的影响。溅射原子经多次 碰撞后会有部分逃离沉积区域，基片对溅射原子的 收集效率就会减小，从而导致了沉积速率的降低。 （