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DMOS功能器件 主讲成员：苏仁波 杨秀平 马红 郭巍 陈飞 讲解内容 DMOS器件的概念 DMOS器件的结构 DOMS器件工作原理 DOMS器件在工艺上的应用 引言 功率半导体在工业、汽车、消费电子等领域的应用越来越广泛，主要用于执行机构和供电单元。随着功率电子工艺技术的改进和用户对其散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难，而且PCB的布局对散热效果有很大影响，为减小PCB布局难度，要采用新的方法确定功率封装的热阻。 DMOS器件的概念 ? 以双扩散MOS晶体管为基础的电路,简称DMOS（double-diffused MOSFET ）。利用两种杂质原子的侧向扩散深度差，形成自对准的亚微米沟道，可以达到很高的工作频率和速度。 DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（vertical double-diffused MOSFET）和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateral double-diffused MOSFET）。 DOMS器件原理 ??? DMOS器件是由成百上千的单一结构的DMOS 单元所组成的。这些单元的数目是根据一个芯片所需要的驱动能力所决定的，DMOS的性能直接决定了芯片的驱动能力和芯片面积。对于一个由多个基本单元结构组成的DMOS器件，其中一个最主要的考察参数是导通电阻，用R ds（on）表示。导通电阻是指在器件工作时，从漏到源的电阻。 对于 DMOS器件应尽可能减小导通电阻，就是现代工艺流程所追求的目标。当导通电阻很小时，器件就会提供一个很好的开关特性，因为漏源之间小的导通电阻，会有较大的输出电流，从而可以具有更强的驱动能力。 DMOS的主要技术指标有：导通电阻、阈值电压、击穿电压等。 标准n沟道双扩散MOS晶体管剖面图 标准的n沟道双扩散MOS晶体管 标准的n沟道双扩散MOS晶体管的剖面图如下，衬底是n-型材料，在其上的选用的区域进行P型扩散。这种P型扩散与在双扩散的双极晶体管中基区扩散相同，并把它用作MOS器件的沟道。随后通过同一掩模窗孔进行n+扩散，以形成如上图所示的源和漏区。P型区的横向尺寸就是沟道宽度。假设横向的扩散深度与垂直方向相同，则正如双极晶体管的基区宽度一样，沟道长度可以控制到1um以内。由n-层可得到高的击穿电压和低的反馈电容，从而改进器件性能。 但DMOS不是对称器件，源和漏互换导致不同的电流—电压特性。这是因为沟道是由扩散形成的，所以在源的一端杂质浓度高于楼的一端。 N沟道DMOS晶体管 DMOS结构 该器件结构采用了平面扩散技术，以难溶材料如多晶硅的栅作掩模，用多晶硅的边缘定义P基区与N+源区，DMOS的名称由制造技术中的双重扩散工艺而来，它的主要目的是为了克服短沟道和穿通电压的矛盾。众所周知，减小沟道长度是提高管子频率特性，获得高跨导和大增益途径，但是如果沟道长度太小，容易引起漏源之间的穿通，即降低了漏结击穿电压。采用上图中的P区、N+区两次扩散工艺可以克服上述矛盾。图中用P-半导体硅作为衬底材料，然后在其上面外延N-区，P和N+双重扩散形成长度为L的P型沟道区，L值是P区与N+区结深之差，它是易于控制的。N+漏区与沟道之间存在着N-外延区，它使P—N-的耗尽区大部分存在于N-区一边，从而有效的阻止了穿通效应的发生。d可以做得足够长，以达到击穿电压的要求。这种结果的缺点是硅面积的利用率较差。无论是这种结构还是为了提高电流容量而设计的多沟道或多单元结构，其封装密度均比下面讨论的纵向漏结构小。 VDMOS晶体管 VDMOS工作原理 如上图所示，该图是采用垂直导电的双扩散结构。VDMOS场效应管是在N+衬底上的N-外延层上，先后进行p-型和n-型区两次扩散，然后从上表面引出源极S和栅极G，从芯片n+衬底的背后引出漏极D。N+和N-区之间的P区是沟道，这样可实现交短沟道，并避免漏源之间的穿通。 VDMOS场效应管的工作原理如下：当给S、D极间加上电源电压UDS时，若G极电位为0或负值，由于PN结反向偏置，S、D极间没有电流，即ID=0;当G极加上正电压时，会在p-区感生出电子并不断积累，形成了N沟道。N沟道连通了上面的N+型区和下面的N-型区，在S、D极间便产生了电流ID，电流的大小取决于G极上正电压的大小。 DMOS器件结构原理 ?? DMOS结构图中一是横向DMOS晶体管（简称LDMOS），图二 DMOS结构是垂直DMOS晶体管(简称VDMOS)。LDMOS是平面型的，三个电极都由上表