[工学]10第三章-半导体器件物理---MOSFET.pptVIP

* 应用示例（2）-----反相器 VDD Vi Vo + - + - R 输入高电压（“1”），输出低电压（“0”） 输入低电压（“0”），输出高电压（“1”） * 应用示例（3）------存储单元 单管动态MOS存储单元 1T 1C式存储结构 写：X给出高电平，T导通，B线上数据存入C（充电） 读： X给出高电平，T导通，B线获得存储信号的电平 B线 X（字线） T C * 主要内容 MOS 二极管 MOSFET基本原理 CMOS器件 ---Complementary MOS * CMOS 反相器 互补的P沟道和N沟道MOSFET组成。 PMOS NMOS * CMOS器件的一个重要特性是当输出处于逻辑稳态（即Vout=0或VDD）时，仅有一个晶体管导通，因此电源到地端的电流非常小，相当于MOSFET器件关闭时的漏电流。因此与其它器件如NMOS，PMOS，BJT等逻辑器件相比，其稳态时的功率损耗非常低。 因此Si基CMOS工艺是微电子工业现在以及可预见将来的主流工艺。 * 作业 1.列出影响MOSFET器件阈值电压的重要因素，利用简单的语言解释这些因素影响阈值电压的原因。 2. 绘出P沟道增强型MOSFET器件在线性区、饱和区的沟道反型层电荷分布图。给出不同栅压VG下P沟道增强型MOSFET器件的输出（ID-VD）曲线，并在图中给出线性区、饱和区和截止区