[工学]2010-4-MOS模拟集成电路的基本单元.pptVIP

第1章 绪论 第2章 半导体器件基础 第3章 双极型模拟集成电路的基本单元电路 第4章 MOS模拟集成电路的基本单元电路 第5章 负反馈放大电路 第6章 集成运算放大器的分析与应用 第7章 直流电源电路 第四章MOS模拟集成电路的基本单元 第四章 MOS模拟集成电路的基本单元 2.单管耗尽型有源负载（续） MOS管有源负载 G D S B UDD UO ro D B G S UO ro gds gmbUbs IO rO= 1 gds gmb + 如gds gmb rO= 1 gmb 耗尽型MOS管有源负载的电阻比增强型的要高。 gmbgm N2 N3 N1 Io IR UO ro 3. 威尔逊电流源有源负载 MOS管有源负载 N3为N2的有源负载管，相当于N2的源极串联了一个电流负反馈元件，以稳定输出电流，使ro增高。 D1 G2 S1 S3 gds1 gm1Ugs1 gm2Ugs2 gmbUbs2 Ugs2 Ugs3 Uo Uds2 Io G1 G3 S2 D3 Uds3 1/gds3 rds2 1/gm3 3. 威尔逊电流源有源负载（续） Io D1 G2 S1 S3 gds1 gm1Ugs1 gm2Ugs2 gmbUbs2 Ugs2 Ugs3 Uo Uds2 G1 G3 S2 D3 Uds3 1/gds3 rds2 1/gm3 Uds1 由图可列