材料科学基础--第九章2.pptVIP

（3）平衡相： θ也是正方点阵：a＝b＝0.905nm，c＝0.486nm，一般与基体不共格，但亦存在一定的结晶学位向关系，其界面能高，形核功也高。为减小形核功，往往在晶界处形核，所以平衡相形核是不均匀的。 Al-Cu合金的时效硬化曲线 二、非均匀形核（能量条件） 固态相变均匀形核的可能性很小，非均匀形核（依靠晶体缺陷）是主要的形核方式。 1. 不同晶体缺陷对形核的作用 能量高，降低△GK （1）晶界形核 结构混乱，降低? 易扩散、偏析，利于扩散相变 新相/母相形成共格、半共格界面降低界面能 新相生成处位错消失，能量释放，提高驱动力 （2）位错形核 ……位错不消失，可作为半共格界面的形成部分 易于发生偏聚（气团），有利于成分起伏 易于扩散，有利于发生扩散型相变 （3）空位形核 促进扩散 新相生成处空位消失，提供能量 空位群可凝结成位错 （在过饱和固溶体的脱溶析出过程中，空位作用更明显。） 2 非均匀形核的能量变化 △G＝-V△Gv+S?+ V?-△GD △GD——晶体缺陷导致系统降低的能量。 ? 三 晶核的长大 1.长大机制 切变长大 （1）半共格界面 台阶式长大（位错滑移） 原子直接迁移 （2）非共格界面 原子迁移至新相台阶端部 ? 2 新相长大速度 新相生成时无成分变化(有结构、有序度变化） （1）界面控制长大 u=??exp(-Q/kT)[1-exp(-△Gv/kT)] ? 新相生成时有成分变化 （2）扩散控制长大 u=dx/dt=(? C?/?x)D/(C?-C?) ? （3）相变动力学 ?f=1-exp(-btn) b-取决于相变温度、母相成分 和晶粒大小等； n-取决于相变类型和形核位置。 固态相变形成的亚稳相 脱溶：当固溶体因温度变化等原因而呈过饱和状态时，将自发地发生分解过程，其所含的过饱和溶质原子通过扩散而形成新相析出。 新相的脱溶以形核长大方式进行。 由于原子扩散困难，脱溶过程在低温难以进行，故以亚稳态的过渡相存在。 固溶体脱溶分解 相图中的脱溶转变举例 脱溶相图及自由能成分曲线 形核-长大方式脱溶 如果形核率为恒值： 脱溶的动力学决定于新相的形核率和长大速率。 如果形核率不为恒值： 脱溶的两种方式： 1）连续脱溶（连续沉淀）：均匀脱溶、不均匀脱溶（局部脱溶） 2）不连续脱溶（不连续沉淀） 连续脱溶：新相晶核在母相各处同时发生、随机形成，母相的 浓度随之变化，但母相晶粒外形及位向均不改变。 不均匀脱溶优先在局部地区如晶界、孪晶界、滑移等处析出。 脱溶新相与母相结构与点阵参数接近，错配度小，形成共格界面，界面能低。 脱溶新相与母相错配度增大，界面的弹性应变能增大，界面将包含一些位错以降低应变能，形成半共格界面。 脱溶新相与母相错配度很大，形成非共格界面，界面能高。 脱溶相与基体界面的关系示意图 脱溶相的形状与界面处的应变能有关。 对共格和半共格界面，错配度越大，应变能越大。 错配度小：共格脱溶相趋于形成球形。 错配度增大：共格脱溶相趋于形成立方形，错配度最小的晶面 相匹配以减小应变能。 错配度更大：共格脱溶相趋于形成薄片状，错配度最小的晶面 占到最大的界面来减小应变能。 镍基高温合金中γ相的形成 对于非共格界面，脱溶相粒子形状与应变能有关。 新相粒子的几何形状对应变能相