第4章--正弦波振荡器--高等教育出版社.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * 反馈系数F的大小为 由于晶体的品质因数Qq很高,故其并联谐振电阻Ro也很高,虽然接入系数p较小,但等效到晶体管CE两端的阻抗RL仍较高,所以放大器的增益较高,电路很容易满足振幅起振条件。 (4─56) * 图4─20 密勒振荡器(电感还是电容三点式?) 频率稳定度较低 * 图4─21 泛音晶体皮尔斯振荡器(51513) 泛音:晶体基频的奇数倍频率 * 图4─22 场效应管晶体并联型振荡器线路 * 2．串联型晶体振荡器 在串联型晶体振荡器中,晶体接在振荡器要求低阻抗的两点之间,通常接在反馈电路中。图4─23示出了一串联型晶体振荡器的实际线路和等效电路。 * 图4─23一种串联型晶体振荡器 (a)实际线路;(b)等效电路 * 3．使用注意事项 使用石英晶体谐振器时应注意以下几点: (1)石英晶体谐振器的标称频率都是在出厂前,在石英晶体谐振器上并接一定负载电容条件下测定的,实际使用时也必须外加负载电容,并经微调后才能获得标称频率。 (2)石英晶体谐振器的激励电平应在规定范围内。 * (3)在并联型晶体振荡器中,石英晶体起等效电感的作用,若作为容抗,则在石英晶片失效时,石英谐振器的支架电容还存在,线路仍可能满足振荡条件而振荡,石英晶体谐振器失去了稳频作用。 (4)晶体振荡器中一块晶体只能稳定一个频率,当要求在波段中得到可选择的许多频率时,就要采取别的电路措施,如频率合成器,它是用一块晶体得到许多稳定频率,频率合成器的有关内容将在第8章介绍。 * 4.5.3 高稳定晶体振荡器 影响晶体振荡器频率稳定度的因素仍然是温度、电源电压和负载变化,其中最主要的还是温度的影响。 图4─24 AT切片的频率温度特性 * 图4─25是一种恒温晶体振荡器的组成框图。它由两大部分组成:晶体振荡器和恒温控制电路。 图4─25 恒温晶体振荡器的组成 * 图4─26 温度补偿晶振的原理线路 热敏电阻,变容二极管 * 第六节 负阻振荡器 什么是负阻振荡器？ 把一个呈现负阻特性的有源器件直接与谐振回路相接，构成能产生等幅振荡的振荡器。 * 如何描述负电阻？ *当电压减小ΔV时，流过电阻的电流反而增大ΔI； *伏安特性曲线的斜率倒数ΔV/ΔI为负； *电阻上的电位升方向与电流方向相同； *相当于发电机的作用，不消耗功率，反而向外界输 出功率； *负电阻必须是相对于交流而言，且其输出功率是由 于能量转换，而非负电阻本身产生能量。 * 两类负电阻： 电压控制型负阻特性——电流随电压单值变化，类似于交流恒压源。 电流控制型负阻特性——电压随电流单值变化，类似于交流恒流源。 * 振荡分析 1、列出一个节点电流方程和两个回路方程，求出电流i2表达式； 2、与LCR回路振荡条件比较； 3、rn = L/RC = Rp时产生等幅振荡。 * 负阻振荡器连接 1、电流控制型负阻器件必须与振荡回路串联； 2、电压控制型负阻器件必须与振荡回路并联； 3、串联电路的起振条件为rn＞Rs； 4、并联电路的起振条件为gn＞Gp。 * 压控振荡器的主要性能指标为压控灵敏度和线性度。 压控灵敏度定义为单位控制电压引起的振荡频率的变化量, 用S表示, 即 (4 ─ 42) 图4 ─ 14 示出了一压控振荡器的频率-控制电压特性, 一般情况下, 这一特性是非线性的, 非线性程度与变容管变容指数及电路形式有关。 第七节 压控振荡器 * 变容二极管 扩散电容(diffusion capacitance)正向偏置，电容效应比较小。 势垒电容(barrier capacitance)反向偏置 ，势垒区呈现的电容效应。 所以为利用PN结的电容，PN结应工作在反向偏置状态. PN结反向偏置时，结电容会随外加反向偏压而变化，而专用的变容二 极管，是经过特殊工艺处理（控制半导体的掺杂浓度和掺杂的分布）使势 垒电容能灵敏地随反向偏置电压的变化而呈现较大变化的压控变容元件。 结电容C j与反偏电压uR的关系： 式中Co： 时的电容值（零偏置电容） 反向偏置电压