第2章_材料科学基础晶体结构缺陷教材教学课件.pptVIP

3、柏氏矢量的表示法 柏氏矢量的大小和方向要用它在各个晶轴上的分量，即点阵矢量a，b和c来表示。对于立方晶系，由于a=b=c，故柏氏矢量可表示为 如果一个柏氏矢量b是另外两个柏氏矢量 和 之和。 表示位错的强度 同一晶体中，柏氏矢量越大，表明该位错导致点阵畸变越严重，能量也越高，倾向于分解为两个或多个能量较低的位错：b1 b2+b3并满足 五、位错的运动 位错运动的基本形式有两种：滑移（slip）和攀移（climb） 1、位错的滑移 位错的滑移：在外加切应力作用下，通过位错中心附近的原子沿伯氏矢量方向在滑移面上不断地作少量位移（小于一个原子间距）而逐步实现的。 ①位错的运动在外加切应力的作用下发生； ②位错移动的方向和位错线垂直（与伯氏矢量的方向平行）； ③运动位错扫过的区域晶体的两部分发生了伯氏矢量大小的相对运动(滑移)； ④位错移出晶体表面将在晶体的表面上产生伯氏矢量大小的台阶。 ①螺位错也是在外加切应力的作用下发生运动； ②位错移动的方向总是和位错线垂直(与伯氏矢量垂直）； ③运动位错扫过的区域晶体的两部分发生了伯氏矢量大小的相对运动(滑移)； ④位错移过部分在表面留下部分台阶，全部移出晶体的表面上产生伯氏矢量大小的完整台阶。 刃位错的运动 螺位错的运动 混合位错的运动 （1）位错的滑移特点 ①刃位错滑移方向与外力?及伯氏矢量 平行，正、负刃位错滑移方向相反。 ②螺位错滑移方向与外力?及伯氏矢量 垂直，左、右螺型位错滑移方向相反。 ③混合位错滑移方向与外力?及伯氏矢量 成一定角度（即沿位错线法线方向滑移）。 ④晶体的滑移方向与外力?及位错的伯氏矢量 相一致，但并不一定与位错的滑移方向相同。 2、位错的攀移 ??? 只有刃型位错才能发生攀移运动，即位错在垂直于滑移面的方向上运动。其实质是构成刃型位错的多余半原子面的扩大或缩小，它是通过物质迁移即原子或空位的扩散来实现的。通常把半原子面向上运动称为正攀移，向下运动称为负攀移 。 图2-17 刃位错攀移示意图 （a）正攀移（半原子面缩短） (b)未攀移 （c）负攀移（半原子面伸长） 3、运动位错的交割 割阶与扭折 在位错的滑移运动过程中，其位错线往往很难同时实现全长的运动。因而一个运动的位错线，特别是在受阻的情况下，有可能通过其中一部分线段首先进行滑移。若由此形成的曲折线段就在滑移面上时，称为扭折（kink）；若该曲折线段垂直于位错的滑移面时，称为割阶（jog）。 七、缺陷反应表示法 对于杂质缺陷而言，缺陷反应方程式的一般式： 1.写缺陷反应方程式应遵循的原则 与一般的化学反应相类似，书写缺陷反应方程式时，应该遵循下列基本原则： （1）位置平衡 （2）质量平衡 （3）电荷平衡 （1）位置关系： 在化合物MaXb中，无论是否存在缺陷，其正负离子位置数（即格点数）之比始终是一个常数a/b，即：M的格点数/X的格点数=a/b。如NaCl结构中，正负离子格点数之比为1/1，Al2O3中则为2/3。 注意： ①位置关系强调形成缺陷时，基质晶体中正负离子格点数之比保持不变，并非原子个数比保持不变。 ②在上述各种缺陷符号中，VM、VX、MM、XX、MX、XM等位于正常格点上，对格点数的多少有影响，而Mi、Xi、e，、h·等不在正常格点上，对格点数的多少无影响。 (2)质量平衡：与化学反应方程式相同，缺陷反应方程式两边的质量应该相等。需要注意的是缺陷符号的右下标表示缺陷所在的位置，对质量平衡无影响。 (3)电中性：电中性要求缺陷反应方程式两边的有效电荷数必须相等。晶体必须保持电中性 。 2.缺陷反应实例 （1）杂质（组成）缺陷反应方程式──杂质在基质中的溶解过程 杂质进入基质晶体时，一般遵循杂质的正负离子分别进入基质的正负离子位置的原则，这样基质晶体的晶格畸变小，缺陷容易形成。 例1·写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式 例2·写出CaCl2加入KCl中的缺陷反应方程式 基本规律： 低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生负离子空位或间隙正离子。 高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生正离子空位或间隙负离子。 例3· MgO形成肖特基缺陷 MgO形成肖特基缺陷时，表面的Mg2+和O2-离子迁移到表面新位置上，在晶体内部留下空位: MgMg surface+OO surface?MgMg new surface+OO new sur