半导体三极管及单管放大电路参考.docVIP

半导体三极管及单管放大电路 第三十五讲三极管、运算放大器、门电路一、内容提要：本讲主要讲半导体三极管、运算放大器、门电路等主方面的问题。二、本讲的重点及难点是：晶体管的电流放大作用、晶体三极管的主要参数、晶体三极管的特性曲线。三、内容讲解：1、?半导体三极管（一）半导体三极管（1）晶体三极管的结构及符号：如图所示，晶体管是由两个距离很近的PN结构成，必须有三层半导体材料相隔，故此有PNP型和NPN型两大类。晶体管内部有三个区：发射区（e区）、基区（b区）、集电区（c区），两个PN结：发射区和基区之间的发射结和基区与集电区之间的集电结，还有分别从三个区引出的三个电极：发射极、基极和集电极。（2）晶体管的电流放大作用我们把一只NPN型三极管接成如图所示的电路，此时发射结加有正向电压，集电结加有反向电压。可以看出，这种电路包含两个回路：一为基极—发射极回路，又叫输入回路；另一为集电极—发射极回路，又叫输出回路。发射极为两个回路的公共点，故称为“共发射极放大回路”。 （3）晶体三极管的主要参数 晶体管的参数是用来说明其性能和适用范围的，选用晶体管时要以此为依据，主要参数有： RC和RL电路的暂态过程 一、内容提要：本讲主要讲的是RC和RL电路的暂态过程、变压器与电动机、半导体二极管及整流、滤波和稳压电路 二、本讲的重点及难点是：RC串联电路中的