[工学]半导体二极管Diode.pptVIP

2.3 半导体二极管（Diode） 上页 下页 后退 模拟电子 [解] VDD = 10 V 理想 IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA) 恒压 UO = 10 ? 0.7 = 9.3 (V) IO = 9.3 / 2 = 4.65 (mA) 折线 IO = (VDD-Vth)/ (R+rd) = (10-0.5 )/ (2+0.2) = 4.318 (mA) 电源电压》二极管管压降时，恒压模型能得到较合理的结果，电源电压较低时，折线模型能提供较合理的结果。 例2 试求电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 的值。 解：假设二极管断开 UP = 15 V UP UN 二极管导通 采用恒压模型。 P N UO = VDD1 ? UD(on)= 15 ? 0.7 = 14.3 (V) IO = UO / RL= 14.3 / 3 = 4.8 (mA) I2 = (UO ? VDD2) / R = (14.3 ? 12) / 1 = 2.3 (mA) I1 = IO + I2 = 4.8 + 2.3 = 7.1 (mA) VR Vm vi t 0 Vi VR时，二极管导通，vo=vi。 Vi VR时，二极管截止， vo=VR。 例3：理想二极管电路中 vi= Vm sinωt V，求输出波形v0。 解： 2 限幅电路 用来让信号在预置的电平范围内，有选择地传输一部分。 例4：已知电路的输入波形为 vi ,二极管的VD 为0.6伏，试画出其输出波形。 解： Vi 3.6V时，二极管导通，vo=3.6V。 Vi 3.6V时，二极管截止， vo=Vi。 利用二极管的单向导电性可作为电子开关 vI1 vI2 二极管工作状态 D1 D2 v0 0V 0V 导通 导通 导通 截止 截止 导通 截止 截止 0V 5V 5V 0V 5V 5V 0V 0V 0V 5V 例5：求vI1和vI2不同值组合时的v0值（二极管为理想模型）。 解： 3 开关电路 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 半导体二极管的类型与结构 二极管的V-I特性 ★二极管的参数 二极管 ：一个PN结就是一个二极管。 (1) 按使用的半导体材料不同分为 硅管 锗管 (2) 按结构形式不同分为 点接触型(point contact type) 面结型(junction type) 2.3.1 半导体二极管的类型与结构 半导体二极管的结构 面接触型 点接触型 阳极引线 金属丝（铝） 外壳 N型锗片 N型硅 阳极引线 PN结 阴极引线 金锑合金 底座 铝合金小球 阴极引线 半导体二极管的结构 面接触型 点接触型 N型硅 PN结面积 小，结电 容小，用 于检波和 变频等高 频电路。 PN结面积 大，用于 大电流整 流电路。 半导体二极管的平面型及符号 阳极 阴极 符号 P N 阳极引线 阴极引线 集成电路中平面型 P N P 型支持衬底 硅管的伏安特性 锗管的伏安特性 60 40 20 – 0.02 – 0.04 0 0.4 0.8 –25 –50 iD / mA vD / V iD / mA vD / V 0.2 0.4 – 25 – 50 5 10 15 –0.01 –0.02 0 2.3.2 二极管的V-I特性 (1) 近似呈现为指数曲线，即加于管子的正向电压很小，但电流很大，正向电阻很小。 (2) 有死区 1．正向特性 在正向的起始部分，由于电压较小 外电场不足以克服PN结的内电场 这时电流几乎为0，管子呈现一个 大电阻，好象有一个门砍，称死区 电压Vth。 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 vD 硅管0.5 V 锗管0.1 V (3) 导通后（即vD大于死区电压后） 正向导通电压 VF 硅管0.6~0 .8 V 锗管0.2~0.3 V 通常近似取VF 硅管0.7 V 锗管0.2 V O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 vD 即 vD略有升高， iD急剧增大。 2．反向特性 IS= 硅管小于0.1微安 锗管几十到几百微安 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 V(BR) 反向特性 vD (1) 当 时， 。 3. 反向击穿特性 反向电流急剧增大，叫做二极管的反向击穿。击穿的类型和PN结击穿相同。 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 V(BR) 反向特性 vD 降低反向电压，二极管仍能正常工作。 PN结被烧坏，造成二极管永久性的损坏。 二极管发生反向击穿后，如果 a. 功耗PD( = |