[工学]第12章-导体和介质.pptVIP

导体的静电平衡性质 静电平衡时导体上的电荷分布 空腔导体 静电场中的电介质 极化强度 有介质时的高斯定理 电容和电容器 电容器 电容器的联接 静电场的能量 电容器的能量 电极化强度定义： （C· m-2 ） 实验表明： 对于各向同性的均匀电介质，其中任一点处的电极化强度与该点的总场强成正比。 ?e ：介质的极化率 极化率?e与电场强度E无关，取决于电介质的种类。 电极化强度与极化电荷的关系： 设在均匀电介质中截取一斜柱体。体积为?V。 结论： 均匀电介质表面产生的极化电荷面密度等于该处电极化强度沿表面外法线方向的投影。 极化电荷带正电 极化电荷带负电 0 x 电极化强度通过任意封闭曲面的通量： 0 x + + + + + _ _ _ _ _ 封闭曲面S所包围的自由电荷。 封闭曲面S所包围的极化电荷。 定义电位移矢量： 介质中的高斯定理： 在静电场中，通过任意封闭曲面的电位移通量等于该曲面所包围的自由电荷的代数和。 注意： 电位移矢量 是一个辅助量。描写电场的基本物理量是电场强度 。 介质中的高斯定理包含了真空中的高斯定理。 真空中： 所以： 与 的关系 对于各向同性的电介质： ?r ：相对介电常数 或 ? ：介电常数 注： 是定义式，普遍成立。 只适用于各向同性的均匀介质。 真空中： 介质中： 有介质时静电场的计算 1. 根据介质中的高斯定理计算出电位移矢量。 2. 根据电场强度与电位移矢量的关系计算场强。 孤立导体的电容 5毫升 0 5毫升 导体具有储存电荷的本领 电容：孤立导体所带电量q与其电势V 的比值。 法拉（F= C·V-1 ） 孤立导体球 孤立导体球的电容为： 电势： 孤立导体的电容仅取决于导体的几何形状和大小，与导体是否带电无关。 地球的电容： 电容器： 一种储存电能的元件。由电介质隔开的两块任意形状导体组合而成。两导体称为电容器的极板。 电容器的符号： 电容器电容：极板电量q与极板间电势差VAB之比值。 电容器的计算 1、平板电容器 d + + + + + - - - - - B A -q +q E S 电容： ：相对电容率 2. 球形电容器 RA RB 当 （孤立导体球的电容） 当 RA RB 3. 圆柱形电容器 由高斯定理计算得： l r 圆柱形电容器电容： 设极板间距为d， RB = RA +d 当d RA时 （ ） 计算电容器电容的步骤： 1、计算极板间的场强E 2、计算极板间的电势差 3、由电容器电容定义计算C 2.电容器的串联 C1 C2 Cn VAB 设各电荷带电量为q 串联电容器的等效电容的倒数等于各电容的倒数之和。 结论： … 等效电容： 2. 电容器的并联 C1 C2 C3 VAB 总电量 ： 等效电容： 并联电容器的等效电容等于个电容器电容之和。 结论： … * * 导体的静电平衡性质 静电场中的电介质 电容和电容器 静电场的能量 导体 绝缘体 1.导体 存在大量的可自由移动的电荷 2.绝缘体 理论上认为一个自由移动的电荷也没有,也称 电介质 3.半导体 介于上述两者之间 本章讨论金属导体和电介质对场的影响 导体的静电平衡性质 导体的静电平衡条件 金属导体特征：存在大量的自由电子 - F - + E = 0 - - - - - - + + + + + + 静电感应： 在外电场影响下，导体表面不同部分出现正负电荷的现象。 静电平衡： 导体内部和表面没有电荷的宏观定向运动。 感应电荷： 因静电感应而在导体两侧表面上出现的电荷。 静电平衡时导体中的电场特性： 1、导体内部的电场强度处处为零。导体表面的电场强度垂直与导体的表面。 - F 未达到平衡 达到平衡 2.导体静电平衡时，导体各点电势相等，即导体是等势体，表面是等势面。 证：在导体上任取两点 和 导体等势是导体体内电场强度处处为零的必然结果 静电平衡条件的另一种表述 1. 在静电平衡下，导体所带的电荷只能分布在导体的表面，导体内部没有净电荷。 导体内部没有净电荷，电荷只能分布在导体表面。 结论： S 2.导体表面电荷 导体 设导体表面电荷面密度为 相应的电场强度为 设P是导体外紧靠导体表面的一点 ^ ：外法线方向 ^ 写作 导体表面 3.孤立带电导体表面电荷分布 一般情况较复杂；孤立的带电导体，电荷分布的实验的定性的分布： 在表面凸出的尖锐部分(曲率是正值且较大)电荷面密度较大， 在比较平坦部分(曲率较小)电荷面密度较小， 在表面凹进部分带电面密度最小。 尖端放电 孤立带电导体球 孤立导体 荧光质 导电膜 + 高压 场离子显微镜(FIM) 金属尖端的强电场的应用一