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NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的应用 1 NAND FlaSh和NOR Flash ??? 闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点,被广泛地应用于手机、MP3、数码相机、笔记本电脑等数据存储设备中。NAND Flash和NOR Flash是目前市场上两种主要的非易失闪存芯片。与NOR Flash相比,NAND Flash在容量、功耗、使用寿命等方面的优势使其成为高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash的传输效率很高,但写入和擦除速度较低;而NAND Flash以容量大、写速度快、芯片面积小、单元密度高、擦除速度快、成本低等特点,在非易失性类存储设备中显现出强劲的市场竞争力。 ??? 结构：NOR Flash为并行,NAND Flash为串行。 ??? 总线：NOR Flash为分离的地址线和数据线,而NANDFlash为复用的。 ??? 尺寸：典型的NAND Flash尺寸为NOR Flash尺寸的1／8。 ??? 坏块：NAND器件中的坏块是随机分布的,需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。 ??? 位交换：NAND Flash中发生的次数要比NOR Flash多,建议使用NAND闪存时,同时使用EDC／ECC算法。 ??? 使用方法：NOR Flash是可在芯片