第1章节常用半导体器件31.3三极管幻灯片.ppt

IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A PCM = ICM UCEM 晶体管 过耗曲线 晶 体 管 正 常 工 作 区 晶体管过耗区，为晶体管非工作区。 2）最大集电极电流 ICM 在一定条件下，晶体管允许通过的最大电流。 3）极间反向击穿电压UCBO 、UCEO 晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间允许加的最高反向电压。 五、温度对晶体管参数的影响（P36)： 温度升高： ICBO （集电极---基极反向饱和电流） 增大，导致ICEO （穿透电流）增大； IB增大，导致IC增大 UBE减小（负温度系数）。 0.7V 4V 0 0.7V 0.3V 0 0 4V 0 【例1】判断以下三极管的工作状态。 放大 饱和 截止 六、例题分析 【例2】现已测得某电路中几只晶体管三个极的直流电位如下，各晶体管开启电压均为0.5V。试判断各管的工作状态。 放大 放大 饱和 截止 【例3】测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 解题思路 (1)三极管处于放大状态 (2)确定三个电极 (3)确定三极管为硅管还是锗管 (4)确定为何种类型 【例3】测得放大电路中晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。 c c c c c c 硅PNP 锗PNP 锗PNP 硅NPN 锗NPN 硅NPN b b b b b b e e e e e e 【例4】判断各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 × √ √ √ × 基本要求： 1、掌握三极管的结构； 2、掌握三极管的输入输出特性，会进行状态判断。 3、了解场效应管的工作情况及工作特点。 P70 作业：1.9 （1.12选作） （做到书上随机检查） 小结 § 1.4 场效应管（FET） 场效应管与三极管的区别与联系 1、区别：场效应管是电压控制元件， 即栅源极电压（uGS）控制漏极电流（iD）； 而三极管是电流控制元件， 即基极电流（iB）控制集电极电流（iC）。 2、联系：两种元件在电路中起的作用类似 在模拟电路中具有放大作用； 在数字电路中起开关作用。 结型场效应管（ JEFT） 绝缘栅 场效应管 （MOS） P沟道 N沟道 —正常工作时PN结加反向电压， P沟道 N沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 均有夹断电压uGS（off )且uGS=0时iD ≠ 0。 有开启电压uon,且uGS=0时iD = 0。 场效应管的符号及特性曲线 输出特性曲线 转移特性曲线 符号 类型 P沟道结型场效应管 N沟道结型场效应管 输出特性曲线 转移特性曲线 符号 类型 P沟道增强型绝缘栅型场效应管 N沟道增强型绝缘栅型场效应管 注意： UGS(th) N 0 UGS(th) P 0 输出特性曲线 转移特性曲线 符号 类型 P沟道耗尽型绝缘栅型场效应管 N沟道耗尽型绝缘栅型场效应管 P沟道增强型场效应管 N 沟道增强型场效应管 当: UiVGS(th) P MOS 管导通。 当UiVGS(th) N MOS 管导通。 D S B G D S B G Ui Ui * 1 – 3 - * 1 – 3 - * 模拟电子技术基础 信息科学与工程学院·基础电子教研室 内容回顾 半导体二极管： 1、二极管的符号： D D 2、伏安特性 U I 导通压降: 二极管导通 反向击穿电压UBR 死区电压： 二极管截止 正向导通 正向截止 反向截止 二极管的工作区 二极管非工作区 反向电压 3、二极管的主要参数 1.最大整流电流IF 2.最高反向工作电压UR 4、二极管的等效电路 5、稳压二极管及应用 1）稳压管符号 2） 稳压管的伏安特性曲线 3） 稳压管的主要参数: ①稳定电压UZ ②稳压电流IZ ③额定功耗PZM 4） 稳压管的稳压条件: （1） 必须工作在反向击穿状态； （2） 流过稳压管的电流在IZ和IZM之间 。 §1.3 双极型晶体管（又称为三极管、晶体管） §1.3 双极型晶体管 一、晶体管的结构和类型 1、晶体管结构：三层半导体、两个PN结、引出三个极，构成晶体管。 NPN型 基区 发射区 集电区 发射结 集电结 发射极 基极 集电极 b e c 发射极箭头的方向 为电流的方向 b P N P