聚焦电子束系统-国家试验研究院.DOC

財團法人國家實驗研究院 國家奈米元件實驗室 『聚焦電子束系統』 招標規範書 目錄 目的 2 設備明細 2 投標廠商注意事項 4 檢驗與測試 5 保固 7 教育訓練 8 交付使用者文件 8 規範書釋疑聯絡人 8  聚焦電子束系統 目的 本招標規格書適用於下述聚焦電子束系統之設計、製造、運輸及測試等之一般要求。若本招標規格書有任何疑慮依業主解釋為準。 設備明細 本系統為多用途奈米噴印定義圖形應用，其需求規格要能具備次世代電子束的影像品質、離子束操作和符合8”-12”吋晶片線的系統設計，須包含以下系統： 電子光學系統 (Electro Optics) 離子光學系統 (Ion Optics) 真空與氣體噴射系統 8/12吋相容樣品載台與移動平台 TEM樣品取出系統 STEM偵檢器 16-bit 圖形掃描引擎 SEMI-standard 300mm notch校正晶圓(Mapping wafer) 符合設備規範之主動式電磁防護系統1組 各系統規格內容如下 電子光學系統 浸潤式磁場光學系統(Immersion lens) 蕭特基熱場發射源(Schottky thermal field emitter)，使用壽命大於1年 可調整加速電壓(350V-30kV)，至少為5段式調整 無段式可調整電子束電流 0-20nA 二次電子(SE)與in-lens背向電子(BSE)偵檢器 一般模式與浸潤模式切換影像偏移量10μm【驗收項目1】 加速電壓1kV時， 解析度1.5nm。與加速電壓15kV 時， 解析度1.0nm【驗收項目1】 離子光學系統 液態鎵離子發射源，使用壽命大於1000小時 (FEI Liquid Metal Ion Source, GA69或同級品) 可調整加速電壓(500V-30kV)，至少為10段式調整 15段式可調整離子束電流 (1.5pA-65nA) 直接離子偵檢器(direct ion detector) 離子束電子束共焦點(coincidence point) 5μm【驗收項目2】 解析度量測30kV 4.5nm【驗收項目2】 真空與氣體噴射系統 無油式幫浦系統 (oil-free) (Edwards XDS35i或同級品) 廠商須提供鉑、碳二種氣體沉積源，並有能控制噴射的氣體控制系統 電子腔體真空度(Electron column vacuum pressure) 必需於抽氣開始12小時內達到≦5x10-7 mbar【驗收項目3】(抽氣速率30 m3/h) 離子腔體真空度(Ion column vacuum pressure) 必需於抽氣開始12小時內達到≦5x10-9 mbar【驗收項目3】(抽氣速率30 m3/h) 樣品腔體必需於5分鐘內達到10-6 mbar等級，即為樣品載入時間(loading time) ≦5 mins【驗收項目3】 氣體沉積能力：15 nm孤立奈米線，40 nm線距密集線【驗收項目3】 蝕刻能力：20 nm接觸洞，20 nm孤立溝槽，且深寬比＞2【驗收項目3】 8/12吋相容樣品載台與移動平台 8/12吋 半導體晶圓樣品載台 5軸驅動 (x-y-z-rotate-tilt)壓電控制移動平台 xy軸移動範圍至少涵蓋-150mm~+150mm範圍，z軸移動範圍8mm，tilt範圍-15~+55度 平台移動準