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高速数字电路封装电源完整性分析1.Pkg与PCB系统随着人们对数据处理和运算的需求越来越高，电子产品的核心—芯片的工艺尺寸越来越小，工作的频率越来越高，目前处理器的核心频率已达Ghz，数字信号更短的上升和下降时间，也带来更高的谐波分量，数字系统是一个高频高宽带的系统。对于一块组装的PCB，无论是PCB本身，还是上面的封装（Package，Pkg），其几何结构的共振频率也基本落在这一范围。不当的电源供应系统（PDS）设计，将引起结构共振，导致电源品质的恶化，造成系统无法正常工作。此外，由于元器件密度的增高，为降低系统功耗，系统普遍采用低电压低摆幅设计，而低电压信号更容易受到噪声干扰。这些噪声来源很广，如耦合（coupling）、串扰（Crosstalk）、电磁辐射（EMI）等，但是最大的影响则来自于电源的噪声，特别是同步切换噪声（Simultaneous switching noise，SSN）。通常整个PDS系统除了包含电路系统外，也包含电源与地平面形成的电磁场系统。下图是一个电源传输系统的示意图。1 典型的电源传输系统示意图2.Pkg与PCB系统的测量一般在探讨地弹噪声（GBN）时，通常只单纯考虑PCB,且测量其S参数|S21|来表示GBN大小的依据。Port1代表SSN激励源的位置，也即PCB上主动IC的位置，而较小的|S21|代表较好的PDS设计和较小的GBN。然而一般噪声从IC上产生，通过Pkg的电源系统、再通过基板Via和封装上的锡球的连接，到达PCB的电源系统（如图1）。所以不能只单纯考虑PCB或Pkg，必须把两者结合起来，才能正确描述GBN在高速数字系统中的行为。为此，我们设计一个PDS结构（如图2），来代表Pkg安装在PCB上的电源系统。图2 BGA封装安装在PCB上的结构和截面示意图使用网络分析仪（HP8510C）结合探针台（Microtechprobe station）,量测此结构之S参数，从50Mhz到5Ghz。测量上，使用两个450um-pitch的GS探针，接到Pkg信号层的Powerring和Ground ring上。这个测量结构如图3。图3 BGA封装安装在PCB上的结构测量示意图Pkg+PCB结构量测S参数的结果如图4所示，同时我们也做了单一Pkg和 PCB的量测结果，通过对比来了解整个PDS系统和单一Pkg和PCB之间的差别。图4 BGA封装安装在PCB上的量测结果从图4的测量结果，我们可以考到三种结构的GBN行为有很大的差异。首先考虑只有单一Pkg时的S参数，在1.3Ghz之前的行为像一个电容，在1.5Ghz后才有共振模态产生；考虑单一PCB，在0.5Ghz后就有共振模态产生，像0.73Ghz（TM01）、0.92Ghz(TM10)、1.17Ghz（TM11），其GBN行为比单一Pkg更糟。最后，考虑Pkg结合PCB，可以看到在1.5Ghz之前，比单一Pkg多了三个共振点，这些噪声共振来自于PCB，通过锡球、Via等耦合到Pkg的电源上，这会使Pkg里的IC受噪声影响更严重，这跟只考虑单一Pkg或PCB时有很大不同。3.去耦电容对电源噪声的影响对于电源平面噪声传统的抑制方法是使用那个耦合电容，对于去耦电容的使用已有很多研究，但电容大小、位置、以及个数基本还是基于经验法则。去耦电容的理想位置为了研究去耦电容位置PDS的影响，我们用上述Pkg+PCB结构，分别在Pkg和PCB上加去耦电容或两者都加上去耦电容，通过量测|S21|来研究去耦电容的理想摆放位置。图5 去耦电容安装在Pkg和PCB上如图5所示，我们摆放电容的位置分三种情况，一是在Pkg上加52颗，二是在PCB上加63颗，三是在Pkg和PCB上同时各放置52和63颗，电容值大小为100nF, ESR、ESL分别为0.04ohm、0.63nH。量测结果如图6。图6 加去耦电容于不同位置的|S21|比较图首先，把低频到5Ghz分成三个阶段，首先，开始低频到500Mhz左右，不管在Pkg或PCB上加去耦电容，相比没有加电容，都可以大大降低结构阻抗，减少GBN干扰。第二，对于0.5Ghz～2Ghz，在Pkg上和同时在Pkg与PCB上加去耦电容，对噪声抑制效果差不多。可是如果只在PCB上加电容，可以看到在800Mhz附近多了一个共振点，这比没有加电容时更糟。所以我们只在PCB上加电容时要特别注意，可能加上电容后电源噪声更严重。第三，从2Ghz～5Ghz，三种加电容方式与没加电容相比，效果并不明显，因为此阶段超过了电容本身的共振频率，由于电容ESL的影响，随着频率升高，耦合电容逐渐失去作用，对较高频的噪声失去抑制效果。去耦电容ESR的影响在Pkg结合PCB结构上，放置12颗去耦电容，同时改变去耦电容的ESR，模拟结果如图7所示。可以发现，当ESR值越