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AVN沟道增强型场效应管东森微电子-电子元器件代理商
东森微电子 SVF8N65T/F 说明书
8A、650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF8N65T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用
SL 电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的
工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优
越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换
器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
∗ 8A，650V，RDS(on)(典型值)= 1.2Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产品名称 封装形式 打印名称 材料 包装
SVF8N65T TO-220-3L SVF8N65T 无铅 料管
SVF8N65F TO-220F-3L SVF8N65F 无铅 料管
昆山东森微电子有限公司 版本号：1.1 2011.09.13
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SVF8N65T/F 说明书
极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)
参数范围
参数名称 符号 单位
SVF8N65T SVF8N65F
漏源电压 VDS 650 V
栅源电压 VGS ±30 V
TC=25°C 8.0
漏极电流 ID A
TC=100°C 5.1
漏极冲击电流 IDM 32.0 A
耗散功率（TC=25°C） 150 48 W
PD
- 大于 25°C 每摄氏度减少 1.20 0.38 W/°C
单脉冲雪崩能量（注 1） EAS 398 mJ
工作结温范围 TJ -55～+150
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