集成电路制造工艺员(三级)理论判断.docVIP

职业道德具有运用范围的有限性，发展的历史继承性，形式的多样性和强烈的纪律性。（√） 无私奉献精神与社会主义市场经济运行机制是统一的。（√） 人们生活在世界上，都要与人打交道，都要处理各种关系，这就存在是否公道的问题。（√） 公民道德建设要坚持继承优良传统与弘扬时代精神相结合。（√） substrate意思是基片。（√） wafe prober意思是探针台。（√） passivation layer意思是钝化层。（√） post implantation意思是热处理。（√） multilevel interonnection是多层连线。（√） 可以认为数据链路层和物理层不属于TCP/IP。（√） 国际标准化组织的OSI基本参考模型有3层。（√） 结晶形态二氧化硅是由Si-O四面体在空间规则排列所构成的。(√) 非结晶态二氧化硅的网络疏松,不均匀而且存在孔洞。(√) 结晶与非结晶形态二氧化硅的基本差异在于前者的结构具有周期性,而后者则不具有任何周期性。(√) 结晶形态二氧化硅是由Si-O四面体在空间规则排列所构成的。(√) 水汽氧化法指的是在高温下,硅与高纯水产生的蒸气反应生成二氧化硅。(√) 湿氧氧化的氧化剂既含有氧,又含有水汽。(√) 抛物线阶段的氧化物生长速率一般要比线性阶段的慢得多。(√) 氧化物生长的抛物线阶段,反应受到通过氧化物的氧的扩散速率的限制。(√) 热氧化生长二氧化硅,要生长一个单位厚度的二氧化硅,就需要消耗0.44个单位厚度的硅层。(√) 正确地利用压力效应将有利于降低氧化的热预算。(√) 硅氧化生长的线性阶段,(111)硅单晶的氧化速率比(100)稍快。(√) 等离子增强氧化可在低温下提高氧化速率,从而减少热预算。(√) 硅热氧化过程中的分凝效应会导致杂质在硅-二氧化硅界面的重新分布。(√) 热氧化中,杂质分凝效应将使实际扩散分布偏离理论分布。(√) 习惯上用“分凝系数”这个参数来表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度。(√) 硅热氧化过程中的杂质分凝系数就是杂质在硅中的平衡浓度与杂质在二氧化硅中的平衡浓度之比。(√) 硅-二氧化硅系统中的固定表面电荷密度与氧化和退火条件,以及硅晶体的取向有显著的关系。(√) 硅-二氧化硅系统中的固定表面电荷密度受氧化层厚度和硅中的杂质类型及浓度影响不大。(√) 为了消除氧化膜中的针孔,应保证硅片的表面质量,硅片表面应平整、光亮。(√) 氧化膜中的针孔会造成金属电极引线和氧化膜下面的区域短路,使器件性能变差或失效。(√) 硅-二氧化硅系统中界面态密度与工艺条件有关,如干氧氧化的界面态密度高于湿氧氧化。(√) 硅-二氧化硅系统中的陷阱电荷通常是由X射线、ｒ射线、高能电子照射等产生的。(√) 解决硅-二氧化硅系统中电离陷阱的有效办法是进行退火处理。(√) 热工艺的基本设备有卧式炉、立式炉和快速热处理设备。(√) 卧式和立式炉被认为是常规的热壁炉体。(√) 卧式和立式炉是冷壁炉体。(√) 快速热处理既有非常快的、局域化的加热时间,它只对硅片进行加热,而不对炉壁加热。(√) 人们研究了各种利用扩散往硅中引入掺杂剂的方法，其目的是为了控制杂质浓度、均匀性和重复性。（√） 在许多器件的制作中，离子注入已经代替扩散工艺，但是扩散工艺现在还广泛应用于PN结的制作。（√） 菲克第一扩散定律中局部传输速率和溶质的浓度梯度的比例常数就是溶质的扩散系数。（√） 菲克的第一扩散定律是建立在稀释液体或者不存在对流的气体溶液的假设之上的。（√） 阳极氧化法生长二氧化硅，然后测量去除二氧化硅后硅片的方块电阻也可以测量结深。（√） 由于III，V族元素都是二氧化硅中玻璃的构成者，他们使氧化膜的熔化温度降低。（√） 对磷在二氧化硅中的扩散而言，对湿氧形成二氧化硅的扩散比干氧形成的二氧化硅要快。（√） 砷烷作为砷的扩散源，在使用的时候要特别注意的是它有剧毒。（√） 作为硼的扩散源，硼酸三甲酯和三溴化硼 都是液态。（√） 由于金在硅中的扩散系数比较大，0.4mm厚的硅片在1090℃下只要10min左右就能扩透。（√） 光刻工艺是一种光复制图像和材料刻蚀相结合的微电子基片表面微细加工技术。（√） 超大规模集成电路需要光刻工艺具备高分辨率、高灵敏度、精密的套刻对准、大尺寸、低缺陷这几方面的要求。（√） 光刻工艺流程的操作顺序是涂胶、前烘、曝光、显影、烘烤、坚膜、刻蚀、去胶。（√） 光刻工艺所需要的三要素为：光刻胶、掩模版和光刻机。（√） 光刻工艺所需要的三要素为：光刻胶、掩模版和光刻机；随着曝光技术的进步，可以不用掩模在晶片上就能够生成特征尺寸在亚微米范围内的图案。（√） 光刻胶通常可分为正胶和