分布反馈激光器DFBLD.PPT

面发光二极管 P(q) = P0cosq 载流子注入 25 mm 5 mm 边发光二极管 优点：与面发光LED比，光出射方向性好 缺点：需要较大的驱动电流、发光功率低 载流子注入 50~70 mm 100~150 mm 30o 120o 输出光功率较小； 谱线宽度较宽； 调制频率较低； 性能稳定，寿命长； 输出光功率线性范围宽； 制造工艺简单，价格低廉； 适用于小容量短距离系统。  发光二极管的特点： 发光二极管的主要工作特性： (1) 光谱特性。 发光二极管发射的是自发辐射光， 没有谐振腔对波长的选择，谱线较宽，如图3.15。 特点：1. 自发辐射光 -> LED谱线较宽 2. 面发光二极管的谱线要比边发光二极管的宽 3. 长波长光源谱宽比短光源宽 - 短波长GaAlAs/GaAs 谱宽30~50 nm - 长波长InGaAsP/InP 谱宽60~120 nm (2) 光束的空间分布。 在垂直于发光平面上， 正面发光型LED辐射图呈朗伯分布， 即P(θ)=P0 cosθ，半功率点辐射角θ≈120°。 侧面发光型LED，θ‖≈120°，θ⊥≈25°~35°。 由于θ大，LED与光纤的耦合效率一般小于 10%。 a)面发射LED（朗伯源） b)边发射LED c)双异质结LED LED的辐射模式 (3) 输出光功率特性。 发光二极管实际输出的光子数远远小于有源区产生的光子数，一般外微分量子效率ηd小于10%。 LED的P-I 特性曲线 原理：由正向偏置电压产生的注入电流进行自发辐射而发光 4 3 2 1 0 50 100 150 0℃ 25℃ 70℃ 电流/mA 输出功率/ mW 驱动电流I较小时， P - I曲线的线性较好；I过大时，由于PN结发热产生饱和现象，使P -I 曲线的斜率减小。 式中，f 为调制频率，P( f )为对应于调制频率 f 的输出光功率，τe为少数载流子(电子)的寿命。定义 fc 为发光二极管的截止频率，当 f = f c =1/(2πτe)时，|H(fc)|= ， 最高调制频率应低于截止频率。 (4) 频率特性。 发光二极管的频率响应可以表示为 |H(f)|= (3.12) 图3.17示出发光二极管的频率响应， 图中显示出少数载流子的寿命τe和截止频率 fc 的关系。 对有源区为低掺杂浓度的LED， 适当增大工作电流可以缩短载流子寿命，提高截止频率。 图 3.17 发光二极管(LED)的频率响应 一般地： f面 = 20~30 MHz f边 = 100~150 MHz 适当增加工作电流 载流子寿命缩短 调制带宽增加 性能稳定 寿命长 制造工艺简单、价格低廉 输出光功率较小 谱线宽度较宽 调制频率较低 这种器件曾经在小容量、短距离系统中发挥了重要作用 关于LED的小结 3.1.5 半导体光源一般性能和应用 半导体光源的一般性能表： 3.1和表3.2列出半导体激光器(LD)和发光二极管(LED)的一般性能。  LED通常和多模光纤耦合，用于1.3 μm(或0.85 μm)波长的小容量短距离系统。因为LED发光面积和光束辐射角较大， 而多模SIF光纤或G.651规范的多模GIF光纤具有较大的芯径和数值孔径，有利于提高耦合效率，增加入纤功率。 普通LD通常和G.652或G.653等规范的单模光纤耦合，用于1.3 μm或1.55 μm大容量长距离系统。 分布反馈激光器(DFB - LD)主要和G.653或G.654规范的单模光纤或特殊设计的单模光纤耦合，用于超大容量的新型光纤系统。 表3.1 半导体激光器(LD)和发光二极管(LED)的一般性能 -20×50 - -20×50 - 工作温度 /°C 寿命 t/h 30×120 20×50 20×50 辐射角 50~150 30~100 500~2000 调制带宽 B/MHz 0.1~0.3 0.1~0.2 1~3 1~3 入纤功率 P/mW 1~5 1~3 5~10 5~10 输出功率