1章-半导体器件 2.pptVIP

第一章 常用半导体器件 1.1.1 导体、半导体和绝缘体 定义 4. PN 结的电容效应 1.2 半导体二极管 二极管的伏安特性----单向导电性！ 例题1：电路图如下图 所示，二极管D为硅二极管求U0 2）微变等效电路 稳压二极管 1.3.1 基本结构与类型 温度对晶体管特性的影响 Ugs作用于整个沟道 漏-源电压Uds对漏极电流的影响： 输出特性： 转移特性： 场效应管与晶体管的比较 本 章 结 束 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 UGS（off） 此时，Uds=0 栅-源电压Ugs对导电沟道宽度的控制作用： 1.4.1 结型场效应管 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 uGDUGS（off） uGDUGS（off） 此时，Ugs≠0 1.4.1 结型场效应管 g-s电压控制d-s的等效电阻 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： 1.4.1 结型场效应管 夹断电压 漏极饱和电流 场效应管工作在恒流区，有uGS＞UGS（off