ABE-SOI-LDMOS结构设计和机理研究.pptxVIP

ABE SOI LDMOS结构设计和机理研究LOREM IPSUM DOLOR LOREM 目录1：SOI概述1.1：SOI概念1.2：LDMOS结构1.3 ：SOI LDMOS 发展特点1.4：发展及创新2：ABE SOI LDMOS新结构研究及设计2.1：新结构ABE SOL LDMOS 的结构2.2：新结构工作原理3 ABE SOI LDMOS 器件仿真3.1：新结构界面仿真图3.2 ：新结构等势线仿真图3.3：常规结构与新结构温度特性仿真3.4：埋层中电极的间距对耐压影响1：SOI 概述 1.1：概念 SOI是指从一个绝缘的衬底上再长出一层薄膜，薄膜的材料是由单晶硅组成，或者是一绝缘层将单晶硅从支撑的硅衬底中分开的结构。SOI技术的应用和发展关键是在于SOI材料的制作。SOI材料的制作的重点是在一个不导电薄层上生长出一层很薄的没有缺陷的单晶硅 。SOI技术是从上个世纪八十年代发展起来的，它属于一种新型的半导体技术。相对于体硅技术而言，SOI器件拥有速度快，集成度高，工艺简单，漏电流小等许多优点。由于SOI材料制备技术和微电子工艺的进步，它在各个领域的使用规模正在逐渐扩展 如今SOI技术在高速低功耗电路高压控制电路，抗辐照电路，耐高温电路等领域都有着极其广泛的应用，是21世纪硅集成技术.SOI器件作为高压SOI集成电路的重要器件，它较低的纵向击穿电压和比较严