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第二章MOS器件物理基础 MOSFET的结构 MOSFET的结构 MOS管正常工作的基本条件 同一衬底上的NMOS和PMOS器件 例：判断制造下列电路的衬底类型 NMOS器件的阈值电压VTH NMOS管VGSVT、VDS=0时的示意图 NMOS管VGSVT、 0VDS VGS-VT时的示意图 NMOS沟道电势示意图(0VDS VGS-VT ) I/V特性的推导（1） I/V特性的推导（2） 三极管区的MOSFET（0 VDS VGS－VT） I/V特性的推导（3） 饱和区的MOSFET（VDS ≥ VGS－VT） NMOS管VGSVT、VDSVGS-VT时的示意图 NMOS管的电流公式 MOSFET的I/V特性 MOSFET的跨导gm MOS管饱和的判断条件 MOS模拟开关 NMOS模拟开关传送高电平的阈值损失特性 PMOS模拟开关传送低电平的阈值损失特性 MOS管的开启电压VT及体效应 MOS管的开启电压VT及体效应 MOS管体效应的Pspice仿真结果 衬底跨导 gmb MOSFET的沟道调制效应 MOSFET的沟道调制效应 MOS管沟道调制效应的Pspice仿真结果 MOS管跨导gm不同表示法比较 亚阈值导电特性 MOS管亚阈值导电特性的Pspice仿真结果 MOS 低频小信号模型 例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0) 例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0