集成电路制造技术_氧化-微电子学院微电子教学中心.pptVIP

第二章 氧 化 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 2.5 热氧化的杂质再分布 2.5.1 杂质的分凝与再分布 分凝系数 m=杂质在Si中的平衡浓度/杂质在SiO2中的平衡浓度 对同一杂质、同一温度条件，在平衡状态下，m是一 个常数。由m可判断在界面处杂质分布的情况。 P、As、Sb: 10； Ga：20 ； B：0.1-1； 四种分凝现象：根据m1、m1和快、慢扩散 ① m1、 SiO2中慢扩散：B ② m1、 SiO2中快扩散：H2气氛中的B ③ m1、 SiO2中慢扩散：P ④ m1、 SiO2中快扩散：Ga 2.5 热氧化的杂质再分布 2.5.2 再分布对Si表面杂质浓度的影响 影响Si表面杂质浓度的因素： ①分凝系数m ②DSiO2/DSi ③氧化速率/杂质扩散速率 1. P的再分布（m=10） CS/CB：水汽干氧 原因：氧化速率越快，加入 分凝的杂质越多； CS/CB随温度升高而下降。 2.5 热氧化的杂质再分布 2. B的再分布（m=0.3） CS/CB：水汽干氧 CS/CB随温度升高而升高。 原因：扩散速度随温度升高 而提高，加快了Si表面杂质 损耗的补偿。 改正：图2.23中纵坐标 CB/ CS应为 CS/CB 2.6 薄氧化层 D-G模型对厚度小于30nm的干氧氧化不准确； ULSI工艺中，栅氧化层通常都小于30nm。 2.6.1 快速初始氧化阶段 干氧氧化：有一个快速 的初始氧化阶段，即 z*=(23±3)nm τ＝(A/B)z* ((z*)2趋于0) 氧化机理：目前尚不完全清楚。 湿氧和水汽氧化：τ＝0 2.6 薄氧化层 2.6.2 薄氧化层的制备 ULSI对薄氧化层的要求： ①低缺陷密度；②好的抗杂质扩散的势垒特性；③低界面态密度和固定电荷；④热载流子和辐射稳定性； ⑤低成本。 解决方法： 1.预氧化清洗：RCA工艺 ①H2O-H2O2-NH4OH:去除有机沾污及Ⅰ、Ⅱ族金属沾污 ②HF：漂洗① 中产生的SiO2 ③H2O-H2O2-HCl:去除重金属杂质 2.6 薄氧化层 2.改进氧化工艺：高温（900℃）快速氧化 界面态、固定电荷、氧化层陷阱随温度升高而减少； 提高了载流子迁移率、抗辐射、抗热载流子效应的能力，改进了可靠性。 3.化学改善氧化层工艺：引入Cl、F、N2、NH3、N2O ① N2、NH3、N2O的作用： N2（NH3、N2O）+ SiO2 → Si2N2O ∵Si-N键比Si-H键强度大 ∴可抑制热载流子和电离辐射缺陷； N2O基工艺的优点：工艺简单；无H。 ②F的作用：填补Si-SiO2界面的悬挂键，抑制热载流子 和电离辐射产生的缺陷；可使界面应力弛豫。 2.6 薄氧化层 4. CVD和叠层氧化硅： SiO2/SiO2， SiO2/Si3N4， SiO2/HfO2 ，SiO2/Si3N4/SiO2； ①采用CVD法淀积SiO2、Si3N4、HfO2 优点：不受Si衬底缺陷影响；低温； ②叠层氧化硅 优点：缺陷密度明显减少、 Si-SiO2界面的应力接近 零 原因：各层缺陷不重合、各层之间的应力 相互补偿; 增加了薄膜的ε，提高了抗B透入能力。 2.7 Si-SiO2界面特性 SiO2内和Si-SiO2界面处，存在四种界面电荷: ①可动离子电荷：Qm(C/cm2),正电荷，如Na+、K+； ②氧化层固定电荷：Qf(C/cm2)，正电荷，如Si+、荷正 电的氧空位； ③界面陷阱电荷：Qit(C/cm2)，正或负电荷，如Si的悬 挂键； ④氧化层陷阱电荷：Qot(C/cm2),正或负电荷。 界面电荷的危害：在Si表面感应出极性相反的电荷， 影响MOS器件的理想特性，造成成 品率和可靠性的下降。 2.7 Si-SiO2界面特性 2.7.1 可动离子电荷Qm 主要来源：大量存在于环境中的Na+ 。 Na+的分布：遍布整个SiO2层。 Na+的特性： ①其DSiO2很大（D0=5.0cm2/s,而P的D0=1.0×10-8cm