试验者吴昱09300190050李谦09300190059.pptVIP

*  非线性物理——混沌 实验者：吴昱 09300190050 李谦 09300190059 非线性负阻 概念 结构原理 * 非线性负阻 概念 结构原理 * 混沌 概念 产生条件 1、有一个非线性原件 2、有一个用于耗散能量的电阻 3、有3个存储能量的原件 * 蔡氏电路——观察混沌现象 * 蔡氏电路——观察混沌现象 * 蔡氏电路——观察混沌现象 * 混沌现象 * 混沌现象 * 混沌现象 * 倍周期现象 概念 * 倍周期现象 * 吸引子 概念 * 阵发混沌 概念 形成原因 各图形出现顺序 * I-V特性曲线 原理图： * I-V特性曲线与电阻R的关系 CH1为Nr电阻两端电压，CH2为电阻箱两端电压 控制F=104HZ，将电阻箱从100欧开始，每100欧一个，调至900欧，测得曲线如下： * I-V特性曲线与电阻R的关系 * I-V特性曲线与电阻R的关系 随着电阻箱电阻的增大，I-V特性曲线越明显，斜率越大 分析解释： 1、两端变大 2、交流对称 3、原特性如此 4、CH1变化不明显 * I-V特性曲线与频率F的关系 固定R=500欧，改变频率 30HZ 300HZ 3KHZ * I-V特性曲线与频率F的关系 固定R=500欧，改变频率 10KHZ 20KHZ 40KHZ WHY? * I-V特性曲线与频率F的关系 固定R=1K欧，改变频率 27HZ 104HZ 104至1000HZ 1900HZ I-V特性曲线与频率F的关系 固定R=1500欧，改变频率 高频部分与R较小时变化相同 低频部分出现断线现象 19HZ 41HZ * 电路中参数的测量 电感随电流的变化 交流电的振幅变大，会加强阻抗。 线路有其他阻抗。 * 电容随电流的变化 f=100Hz 整体是增大的 电流幅度使阻抗增大。 线路中的其他阻抗。 * 电容随电流的变化 f=3000Hz 初始电容比测量大，可能有阻抗以及线路影响。 边缘效应。 * 完整I-V曲线 I=3.94932U+53.4396 I=-0.40957U+0.60716 I=-0.76263U Ga=-0.76263mΩ Gb=-0.40957mΩ * 混沌通讯简介 混沌保密通信的基本思想是利用混沌信号作为载波,将传输信号隐藏在混沌载波之中,或者通过符号动力学分析赋予不同的波形以不同的信息序列,在接收端利用混沌的属性或同步特性解调出所传输的信息。 * 特点 对初值极其敏感 波形具有随机性 * 实验方法 混沌通讯实验原理图 * 分形简介 分形是由一位美国数学家提出来的，其拉丁文原意是“无规则的碎片”。 通常的维数都是整数，如：点是零维的，曲线时一维的，曲面是二位的，等等。但分形的维数可以是分数的。 * 特点 自相似性。 从它的任何一个局部经过放大，都可以得到一个和整体全等的图形。