Chap09 扩散.pdf

2007级封装专业《半导体工艺技术》课程讲稿 半导体工艺技术 第九章扩散 2007级封装专业《半导体工艺技术》课程讲稿 掺杂包括扩散和离子注入两种主要方式，分别在 第9章和第10章讨论 2007级封装专业《半导体工艺技术》课程讲稿 带有各种掺杂区之CMOS结构图 p通道晶体管 n通道晶体管 O N M M K L I J + LI氧化层 + p n – – n+ STI p + p + STI n– + n– + STI p+ p p n n n p + F H + n++ n 井 E G P 井 p++ n p C D B – p 外延层 + A p硅基板 2007级封装专业《半导体工艺技术》课程讲稿 杂质掺杂 所谓杂质掺杂是将可控数量的杂质掺入半导体内。杂质掺杂 的实际应用主要是改变半导体的电特性。扩散和离子注入是 半导体掺杂的两种主要方式。 高温扩散：一直到20世纪70年代，杂质掺杂主要是由高温的 扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩 散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单 调下降，而杂质分布主要是由高温与扩散时间来决定。 离子注入：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓 度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注 入能量决定。 扩散和离子注入两者都被用来制作分立器件与集成电路，因 为二者互补不足，相得益彰。 2007级封装专业《半导体工艺技术》课程讲稿 2007级封装专业《半导体工艺技术》课程讲稿 1. 基本扩散工艺 杂质扩散通常是在经仔细控制的石英高温炉管中放入半导体硅晶片并通 入含有所需掺杂剂的气体混合物。硅的温度在800-1200℃；砷化镓的温 度在600-1000℃。扩散进入半导体内部的杂质原子数量与气体混合物中 的杂质分压有关。 对硅而言，B、P和As分别是常用的p型和n型掺杂剂，它们在硅中都有极 20 -3 高的固溶度，可高于5